応答波長: 400 nm ~ 1100 nm、 感度: 0.3 A/W @ 1064 nm、有効面積直径: 10mm、光感受材料: シリコン(Si)
| 型番 : PL-1100-SI-QD10-TO |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
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| 在庫番号 : E80040002 |
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お薦め
PL-1100-SI-QD10-TO は、赤外線計測およびセンシング用途向けの高感度シリコン四象限PINフォトダイオードです。波長範囲 400 nm~1100 nm で高いスペクトル応答を持ちます。感光面の直径は 10 mm × 4 mm です。平面パッシベーション構造を採用しており、安定した信頼性の高い動作が可能です。
電気・光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波(CW)動作)
パラメータ | 記号 | テスト条件(TA=22℃±3℃) | 数値 | 単位 | ||
最小値 | 最大値 | |||||
応答(AC)(四象限) | Spi | λ=1.064μm | PulseWidth 20ns、Pin=2 mW | 0.25 | - | |
応答(DC)(四象限) | Rei | VR=135 V | DC、Pin=1μw | 0.3 | - | A/W |
応答変動(DC) (四象限) 応答変動(AC) (四象限) | ΔRei | TA=-45℃±2 ℃ | - | 50 | % | |
暗電流(四象限) | IDi | TA=22℃±3℃ | - | 1 | ||
VR=135V,Pin=0μw | TA=70℃±3℃ | - | 10 | μA | ||
暗電流(リング部) | ID | TA=22℃±3℃ | - | 10 | ||
TA=70℃±3℃ | - | 100 | ||||
接合容量(四象限) | Cji | VR=135V,f=1MHz | - | 15 | pF | |
有効面積直径 | Φ | 10 | 16 | mm | ||
等価雑音光パワー(ENP) | NEPi | λ=1.064μm,VR=135V ,Pulse Width 20 ns | - | 5×10-12 | W/HZ1/2 | |
ブレークダウン電圧(四象限・リング) | VBR | IR=10μA | 200 | - | V | |
ピクセル間感度の不均一性 | Rf | λ=1.064μm,VR=135 V ,Pulse Width 20 ns;Pin=2mW | - | 5 | % | |
ピクセル内感度の不均一性 | Rfn | λ=1.064 μm,VR=135 V ,Pulse Width 20 ns;Pin=2mW | - | 5 | % | |
ピクセル間クロストーク係数 | SLi | λ=1.064 μm,VR=135 V ,Pulse Width 20 ns;Pin=2mW | - | 5 | % | |
代表的特性カーブ

10mm SI Quadrant PIN Detector.pdf