16mm Si 四象限 PINフォトディテクター


応答波長: 400 nm ~ 1100 nm、 感度: 0.3 A/W @ 1064 nm、有効面積直径: 16 mm、光感受材料: シリコン(Si)

型番  :  PL-1100-SI-QD16-TO
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :   [お問い合わせください]
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  E80040004
メールでお問い合わせくださいお見積り依頼(RFQ)

お薦め

PL-1100-SI-QD16-TO は、高感度のシリコン(Si)四象限PINフォトディテクターで、赤外線計測およびセンシング用途に最適です。波長範囲400 nm~1100 nmで高いスペクトル応答を提供します。有効面積は直径16 mmの四象限構造で、平面パッシベーション構造を採用しています。この設計により、安定した性能と高い信頼性を実現しており、位置検出、ビームアライメント、光学追跡、その他のセンシングシステムなどの用途に適しています。


電気・光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波(CW)動作)

パラメータ

記号

テスト条件TA=22℃±3℃)

数値

単位

最小値

最大値

応答(AC)(四象限)

Spi

               λ=1.064μm

PulseWidth 20ns、Pin=2 mW

0.25

-


応答(DC)(四象限)

Rei

VR=135 V

DC、Pin=1μw

0.3

-

A/W

応答変動(DC) (四象限)                応答変動(AC) (四象限)

ΔRei


TA=-45℃±2 ℃

-

50

%

暗電流(四象限)

IDi


TA=22℃±3℃

-

1


VR=135V,Pin=0μw

TA=70℃±3℃

-

10

μA

暗電流(リング部)

ID


TA=22℃±3℃

-

10



TA=70℃±3℃

-

100


接合容量(四象限)

Cji

VR=135V,f=1MHz

-

15

pF

有効面積直径

Φ


10

16

mm

等価雑音光パワー(ENP)

NEPi

λ=1.064μm,VR=135V ,Pulse Width 20 ns

-

5×10-12

W/HZ1/2

ブレークダウン電圧(四象限・リング)

VBR

IR=10μA

200

-

V

ピクセル間感度の不均一性

Rf

λ=1.064μm,VR=135 V ,Pulse Width 20   ns;Pin=2mW

-

5

%

ピクセル内感度の不均一性

Rfn

λ=1.064 μm,VR=135 V ,Pulse Width 20  ns;Pin=2mW

-

5

%

ピクセル間クロストーク係数

SLi

λ=1.064 μm,VR=135 V ,Pulse Width 20  ns;Pin=2mW

-

5

%


代表的特性カーブ

tcq.png


関連

ネーム モデル 価額
10mm Si 四象限 PINフォトディテクター [PDF]

PL-1100-SI-QD10-TO

[お問い合わせください]

ダウンロード


お見積り依頼(RFQ)

本ウェブサイト及びサービスを使用することで、閣下は当社によるクッキーの使用に同意したものとみなします。 クッキーにより、当社は会員サービスをより充実したものにするとともに、短期間に閣下の閲覧履歴を記録することができます。 OK 詳細はこちら
閉じる[X]
ショッピングカート
モデル 数量 価格 小計
合計金額:USD:
ショッピングカートを表示 決済
︿ TOP
提示