LD-PDのパルス半導体レーザーモジュールは、905 nm InGaAs/GaAs ひずみ量子井戸レーザーのモノリシック構造です。30 A版では個別駆動が可能です。レーザーの電流注入幅は200 µm（バージョンにより異なる）で、高さは10～480 µmです。

レーザーダイオードのパッケージ設計および組立技術は、9 mmパッケージ、5.6 mmパッケージ、TO18Fパッケージで提供されます。

量子井戸レーザー設計により立ち上がり・立ち下がり時間は <1 ns ですが、駆動回路のレイアウトやパッケージのインダクタンスが支配的な要因となるため、設計時に考慮する必要があります。

電気・光学特性（基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作）

中心波長vs温度

スペクトル

L–I特性