Ge 大面積フォトディテクタ:800~1800nm、Ge、バイアス付き、従来型


スペクトル応答範囲:800~1800nm、帯域幅:540kHz、立ち上がり時間(@50Ω):650ns、アクティブエリア:φ3.0mm

型番  :  DET30B2(DP)
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お薦め

当社の <10GHz フォトディテクタには、光電効果を利用して光パワーを電流に変換する PIN フォトダイオードが内蔵されています。オシロスコープに 50Ω 抵抗で終端すると、レーザーのパルス幅を測定できます。スペクトラムアナライザに 50Ω 抵抗で終端すると、レーザーの周波数応答を測定できます。
EOT の <10GHz フォトディテクタには、長寿命リチウム電池からなる内部バイアス電源が組み込まれています。フォトディテクタの BNC 出力コネクタに同軸ケーブルを接続し、オシロスコープまたはスペクトラムアナライザで 50Ω 終端するだけで動作可能です。

型番

DET30B2(DP)

DET50B2(DP)

スペクトル応答範囲

800~1800nm

800~1800nm

アクティブエリア

φ3.0mm

φ5.0mm

帯域幅

540kHz

770kHz

立ち上がり時間(@50Ω)

650ns

455ns

·NEP

2.6 X 10-12W/Hz1/2

4.0 X 10-12W/Hz1/2

ダーク電流

4.0 µA (Max)

40 µA (Typ.)80 µA (Max)

接合容量

6nF(Max)

4000 pF (Max)

バイアス電圧

1.8V

5.0V

出力電流

0~10mA

出力電圧

9V(Hi-Z); ~170 mV(50Ω)

アクティブエリア深さ

0.09" (2.2 mm)

ディテクタ正味重量

0.1kg

動作温度

10~ 50℃

保存温度

-20~70℃

低電圧インデックス

Vout ≤9V(Hi-Z)

寸法

2.79" x 1.96"   x 0.89" (70.9 mm x 49.8 mm x 22.5 mm)

電源/バッテリー

電源スイッチ

信号インターフェース

バッテリー監視

ロッドインターフェース

光学インターフェース

A23, 12VDC, 40mAh

スライドスイッチ

BNC メスコネクタ

モーメンタリボタン

M4 x 2

SM1 x 1 SM0.5 x1

 

 

応答カーブ

GE2.png



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