1653.7nm InGaAsP/InP DFB レーザー     


The laser products are  InGaAsP/InP  based  DFB  LD for Methane sensing applications.These chips are processed using RWG technology.The facets are coated with an anti-reflectance coating on the front facet and a  high reflectance coating on the rear facet.All laser chips come from wafers that have been certified using a representative lot of chips that must achieve an acceptable yield for chip test and dynamic test and Burn-in.



製品 モデル


ネーム モデル 価額
1653.7nm InGaAs/InP  DFB レーザ   [PDF]  [RFQ]

LP-1654N-A09-353C0
(Stock NO. Not entered)
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パラメータ


特長

● For CH4 absorption spectrum wavelength.

● Low threshold  current.

● High output power.

● Excellent SMSR Performance.

● RoHS Compliant.

● High reliability design

● Operating temperature:-10~55℃ .

● 100% test over temperature

● Package:TO56 (Without  TEC).

電気・光学特性(E/O特性)

Parameter

Symbol

Unit

Conditions

Value

Min

Typical

Max

Threshold Current

lth

mA

T=25℃,CW

-

-

15

Slople Efficiency

SE

mW/mA

l=lth+20mA


0.22

-

Operating Current

lop

mA

CW


50mA

-

Optical Output Power

Po

mW

I=lop

6

10

-

Center Wavelength

λo

nm

CW,I=lop

λo-0.5

λo

λo+1

Forward voltage

Vf

V

I=lop



2

Wavelength Temperature Coefficient

△N/△T

nm/℃

T=Top

-

0.1

-

Wavelength

CurrentCoefficient

△N/△I

nm/mA

=lop

-

0.02

-

Side mode

Suppression ratio

SMSR

dB

CW,I=lop

35

40

-

Thermistor Resistance

Rtherm

10kΩ@25℃

-

10

-

*Parameters are tested at 25℃ unless otherwise specified. 

**λo = absorption peak  wavelength@65℃


Absolute Maximum Ratings

Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage  to  the  device.These  are absolute  stress  ratings  only.Functional operation of the device  is  not  implied at these or any other conditions  in excess of those given in the operations sections of the data sheet.Exposure to  absolute   maximum  ratings  of  extended   periods  can  adversely  affect device reliability.

Parameter

Unit

Conditions


Value





Min

Typical

Max

Operation temperature

-

-10

-

55

Storage temperature

-

-40

-

85

Optical output power

mW

CW

-

-

20

Laser reverse voltage

V

-


-

2

Laser forward current

mA

-

-

-

100


寸法およびピン定義

Unit(mm)

png2.jpg

PIN No

Definition

1

Heater(+)

2

Thermistor(+)

3

LD(-)

4

Case

5

LD(+)

*It can be formulated according to customer's requirements.

応用 / 用途

●  Methane Sensing

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