スペクトル応答: 2~5.3umum、 有効面積:2mm x 2mm、応答時定数:100ns
| 型番 : InAsSb-2/5um-2X2-AG8-C |
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LD-PD PTE.LTD の InAsSb 増幅型フォトディテクタ は、2–11 μm の感度範囲を持ち、8 段階のゲイン調整が可能です。定量的な光電変換を実現でき、広いダイナミックレンジを備えています。そのため、さまざまな赤外光フォトエレクトリック開発用途に適しており、優れた性能と高いコストパフォーマンスを持ちます。さらに、当社は全方位の技術サポートを提供しており、中長波赤外線測定で幅広く使用されています。
性能仕様
型番 | InAsSb-2/11um-1X1-AG8 | InAsSb-2/5um-2X2-AG8 | |||
波長範囲 | 2~11um | 2~5.3um | |||
ピーク波長 | 5.6um | 4.1um | |||
応答時定数 | 3ns | 100ns | |||
D*(検出感度指標) | 7.0X107cm·Hz1/2/W | 1.0X109cm·Hz1/2/W | |||
信号振幅 | Hi-Z load: 0~10V 50Ω load: 0~5V | ||||
ゲイン調整方法 | 回転式ギア調整:0〜70 dB、1ギアあたり 10 dB、合計 8 ギア 帯域幅:ゲインに反比 | ||||
NEP | 1.4X10-9W/√ Hz 2.0X10-10W/√ Hz | ||||
感光部サイズ | 1mm X 1mm | 2mm X 2mm | |||
感光面深さ | 0.13" (3.3 mm) | ||||
検出器正味重量 | 0.10kg | ||||
動作温度 | 10~40℃ | ||||
保存温度 | -20~70℃ | ||||
外観寸法 | 2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm) | ||||
電源インターフェース | 電源スイッチ | 信号インターフェース | ゲイン調整 | 支持ロッドインターフェース | 光学インターフェース |
LUMBERG RSMV3 メスコネクタ | スライドスイッチ(LED表示付き) | BNC メス コネクタ | 8 段階ノブb | M4 X 2 | SM1 X 1 SM0.5 X 1 |
8 段階の定量可変ゲイン設定
0dB | 10dB | 20dB | 30dB | ||||
ゲイン (Hi-Z) | 1.51×103 V/A | ゲイン(Hi-Z) | 4.75×103 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 1.5 ×104V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×104 V/A |
ゲイン (50Ω) | 0.75×103 V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×103 V/A | ゲイン(50Ω) | 0.75×104V/A | ゲイン (50Ω) | 2.38×104 V/A |
帯域幅 (BW) | 13MHz | 帯域幅 (BW) | 1.7MHz | 帯域幅 (BW) | 1.1MHz | 帯域幅 (BW) | 300kHz |
ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV |
40dB | 50dB | 60dB | 70dB | ||||
ゲイン (Hi-Z) | 1.51× 105 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×105 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 1.5×106V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×106 V/A |
ゲイン(50Ω) | 0.75× 105 V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×105 V/A | ゲイン (50Ω) | 0.75×106V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×106 V/A |
帯域幅 (BW) | 90kHz | 帯域幅 (BW) | 28kHz | 帯域幅 (BW) | 9kHz | 帯域幅 (BW) | 3kHz |
ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤300uV | ノイズ (RMS) | ≤400uV |
信号バイアス | ±8mV(Typ.), ±12mV(Max) | ||||||
MCT 応答カーブ
