発光波長

λR

795nm

しきいち 閾値電流

ITH

1

mA

 出力

Popt

0.1

0.2

mW

  しきいち電圧

UTH

1.8

V

 駆動電流

IOP

3

mA

Popt = 0.1 mW

  レーザー電圧

UOP

2

V

Popt = 0.1mW

 電光変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.1mW

傾き効率

ηS

0.3

W/A

 差動直列抵抗

RS

300

500

Ω

Popt = 0.1 mW

 3dB帯域幅

ν3dB

0.10

GHz

Popt = 0.3 mW Due to ESD protection diode

 相対強度ノイズ

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

  電流による波長調整

0.6

nm/mA

 温度による波長調整

0.06

nm/K

 熱抵抗（VCSELチップ）

Rthermal

3

5

K/mW

 サイドモード抑圧

25

dB

I  = 2 mA

ビーム拡散角

θ

10

25

°

Popt = 0.1 mW, full width 1/e2

スペクトル幅

100

MHz

Popt = 0.1 mW

 TEC電流

mA

-150（加熱）

 +300（冷却）

適切なヒートシンクが必要です

  NTCサーミスタ抵抗

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

 NTCサーミスタ抵抗（繰り返し）

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}