光出力

Po

40

60

mW

CW

中心波長

λc

λI-0.5

λI

λI+0.5

nm

T=25℃

スペクトル線幅（FWHM）

ΔνL

150

300

KHz

ローレンツ線幅

サイドモード抑制比（SMSR）

SMSR

40

dB

CW動作時、@Po

偏光消光比

PER

20

dB

偏波保持ファイバー適用（スロー軸に沿う）

相対強度雑音（RIN）

RIN

-163

-155

dB/Hz

光アイソレーション比

ISO

40

dB

TEC 設定温度

TTEC

15

40

ºC

閾値電流

Ith

15

30

mA

@TTEC

LD 動作電流

Ib

300

mA

CW, Po

LD 動作電圧

Vf

1.5

1.8

V

CW, Po

PD バイアス電圧

VR

4.75

5

5.25

V

カソード → アノード.

PD 電流

Imc

2

mA

@Po

PD 暗電流

Imd

1

nA

VR=5V

動作温度

To

-40

25

80

⁰C

保存温度

Ts

-40

80

⁰C

1

サーミスタ

8

ケース接地

2

  サーミスタ

9

ケース接地

3

  LD（–）

10

NC

4

  検出器（＋）

11

LD(+)

5

  検出器（–）

12

LD (–), RF 

6

 TEC（＋）

13

LD (+)

7

 TEC（–）

14

NC

2

サーミスタ

9

NC

3

 PDモニタアノード（-）

10

レーザアノード（+）

4

  PDモニタカソード（+）

11

レーザカソード（-）

5

サーミスタ

12

NC

6

NC

13

ケース接地

7

NC

14

 TEC（–）

ケース温度

  ℃

-5

25

70

チップ温度

℃

+10

25

40

動作電流

mA

0

200

300

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-

1.2

逆方向電圧（LD）

V

-

-

2.0

逆方向電圧(PD)

V

-

-

20