InGaAs ゲイガーモードアバランシェフォトダイオード


応答波長:900–1700 nm、材料:InGaAs、検出器感度:0.85 A/W @ 1550 nm

型番  :  IGA-APD-GM104-TEC
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :   [お問い合わせください]
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  E80042039
メールでお問い合わせくださいお見積り依頼(RFQ)

InGaAs アバランシェフォトダイオード(APD)は、短波近赤外域の単一光子検出向けに設計された特殊デバイスです。
量子通信や微弱光検出などの分野で求められる、高効率・低ノイズの単一光子検出を実現可能で、波長 0.9–1.7 μm の単一光子検出が可能です。


リニアモードパラメータ

モデル

IGA-APD-GM104-TEC

パラメータ

記号

単位

条件

最小値

典型値

最大値

逆ブレークダウン電圧

BR

V

22℃±3℃ ,ID =10μA

60

80

90

感度

Re

A/W

22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22℃±3℃,M =10


0.1

0.3

静電容量

C

pF

22℃±3℃ ,M =10,f=1MHz



0.25

温度

η

V/K

-40℃ ~80℃,ID =10μA



0.15


ブレークダウン電圧係数 ゲイガーモードパラメータ

パラメータ

単位

条件

最小値

典型値

最大値

PDE

%

温度:-45℃、波長 λ = 1550 nm、0.1 光子/パルス、ポアソン分布の単一光子ソース

20

-


DCR

kHz

温度:-45℃、ゲート幅 1 ns、ゲート PRF 2 MHz、光学 PRF 1 MHz、PDE = 20%

-

-

20*

APP


温度:-45℃、ゲート幅 1 ns、ゲート PRF 2 MHz、光学 PRF 1 MHz、PDE = 20%

-

-

1× 10-3

Tj

ps

度:-45℃、ゲート幅 1 ns、ゲート PRF 2 MHz、PDE = 20%

-

-

100

*異なるグレードおよび仕様の製品を提供


室温 IV カーブ

P2.png

DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

P3.png


温度係数

P4.png


静電容量と電圧

P5.png


ダウンロード


お見積り依頼(RFQ)

本ウェブサイト及びサービスを使用することで、閣下は当社によるクッキーの使用に同意したものとみなします。 クッキーにより、当社は会員サービスをより充実したものにするとともに、短期間に閣下の閲覧履歴を記録することができます。 OK 詳細はこちら
閉じる[X]
ショッピングカート
モデル 数量 価格 小計
合計金額:USD:
ショッピングカートを表示 決済
︿ TOP
提示