1653.7nm InGaAsP/InP DFB レーザー(TO60 パッケージ)     


1653.7 nm 製品 は、メタン(CH₄)検知用途向けの AlGaInAs/InP ベースの DFBレーザーダイオード です。これらのチップは RWG 技術 を用いて製造されています。

チップの前面ファセットには 反射防止(AR)コーティング が施され、背面ファセットには 高反射(HR)コーティング が施されています。

すべてのレーザーチップは、代表的なロットでのチップテスト、動作特性テスト、およびバーンイン試験 において、許容できる歩留まりを満たすことを確認したウェハーから供給されています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
1653.7 nm InGaAsP/InP DFBレーザー TO60パッケージ   [PDF]  [RFQ]

LP-1654T-A09-01
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

·  波長:1653.7 nm 用

·  低閾値電流

·  高出力光

·  優れた SMSR 特性

·  高信頼性設計

·  RoHS 準拠

·  温度条件下 100% 試験済み

·  動作温度:−20 ~ 60 ℃

·  パッケージ:TO-60(TEC 内蔵)


電気・光学特性(E/O特性)

パラメータは、特に記載がない限り 25 ℃ で測定されています

パラメータ

記号

単位

条件

仕様値

最小値

典型値

最大値

しきい値電流

Ith

mA

T=25℃,CW

-

-

15

傾き効率

SE

mW/mA

I=Ith+20mA

-

0.25

-

動作電流

Iop

mA

CW

-

50mA

-

光出力

P0

mW

I=Ith+20mA

4

6

-

中心波長

λ0

nm

CW, I=Iop

1651.7

1653.7

1655.7

順方向電圧

Vf

V

I=   Iop

-

-

2

波長温度係数

△λ/△T

nm/℃

T=Top

-

0.1

-

波長電流係数

Δλ/ΔI

nm/mA

I= Iop

-

0.02

-

SMSR

SMSR

dB

CW, I= Iop

35

40

-

サーミスタ抵抗

Rtherm

10kΩ @ 25 °C

-

10

-

TEC 電流

ITEC

A

-

-

-

0.45

TEC 電圧

VTEC

V

-

-

-

1.8

TEC 消費電力

PTEC

W

-

-

-

0.45


絶対最大定格

絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷 を引き起こす可能性があります。これらはあくまで絶対的なストレス定格 であり、デバイスがこれらの条件下で正常に動作することを保証するものではありません。

また、絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性 に悪影響を与える可能性があります。

パラメータ

単位

条件


仕様値


最小値

典型値

最大値

動作温度

-

-20

-

75

保存温度

-

-40

-

100

光出力

mW

CW

-

-

35

レーザー逆方向電圧

V

-

-

-

2

レーザー順方向電流

mA

-

-

-

150

TEC 電圧

V

-

-

-

1.8

TEC 電流

A

-

-

-

0.45


寸法およびピン定義


2345截图20221118154658.png

ピン割り当て

ピン No

定義- 1

ピン No

定義-2

1

TEC (-)

1

TEC (-)

2

サーミスタ(+)

2

サーミスタ (+)

3

LD (+)

3

LD (+)

4

PD (+)

4

NC

5

PD (-)

5

NC

6

LD (-)

6

LD (-)

7

サーミスタr (-)

7

サーミスタ (-)

8

TEC (+)

8

TEC (+)

お客様のご要望に応じて設計可能です。

応用 / 用途

·メタン(CH₄)検出


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