格子構造を持つレーザーダイオードは、広い温度範囲にわたって高いサイドモード抑制比（SMS）を提供します。高いバイアス注入効率と低漏れ電流を実現するために、電流閉じ込め用に導波路ストライプが適用されています。導波路ストライプには、低しきい値電流、高スロープ効率、高温特性（TO）設計のための多重量子井戸（MQWs）アクティブ層と周期格子が含まれています。
p面にアライメントマスクとブロードエリア金属パッドを備えたレーザーダイオードは、p面ダウン実装プロセス向けに設計されています。レーザーチップの連続波DC特性は、広い温度範囲で繰り返し検証および確認されています。
電気/光学特性（基板温度Tsub=25°C、特に記載がない限り連続波（CW）バイアス時）
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長 | λ | 1306 | 1310 | 1316 | nm |
SMSR | SMSR | 35 | 45 |
| dB |
しきいち電流 | Ith |
| 20 | 40 | mA |
動作電流 | Iop |
| 230 | 250 | mA |
チップ出力パワー | Pf | 50 | 70 |
| mW |
量子効率 | η | 0.2 | 0.3 |
| mW/mA |
電流チューニング係数 | ∆λ/∆I |
| 0.015 |
| nm/mA |
温度チューニング係数 | ∆λ/∆T |
| 0.12 |
| nm/K |
順方向電圧 | Vf |
| 1.3 | 2 | V |
カインク偏差 | KINK | 30% |
ビーム発散角(平行方向) | ϑ// |
| 19 |
| Deg |
ビーム発散角 (垂直方向) | ϑ⊥ |
| 17 |
| Deg |
抵抗値 | Rs |
| 8 |
| ohm |
線幅 | △λ |
| 3 |
| MHZ |
記号 | パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
Im | しきいち電流 | CW，T=25°C |
| 20 | 40 | mA |
Po | 出力パワー | CW，lth+20mA, T=25°C | 4 | 6 |
| mW |
CW, Ith + 200 mA, T=25 °C, TEC controlled. | 50 | 80 |
|
SE | 傾き効率 | CW, Ith + 20 mA, T=25 °C | 0.2 | 0.3 |
| W/A |
Vop | 動作電圧 | CW, Ith + 20 mA |
| 1.2 | 1.5 | V |
CW, Ith + 200 mA, TEC controlled |
| 2.5 | 3.5 |
△υ | 線幅 | CW, Ith + 200 mA, TEC controlled |
| 3 | 10 | MHz |
RIN | 相対強度噪音 | CW, Ith + 200 mA, TEC controlled, @1GHz |
| -150 | -145 | dB/Hz |
λc | 中心波長 | CW, Ith + 20 mA | 1306 | 1310 | 1316 | nm |
SMSR | SMSR | CW, Ith + 20 mA | 35 | 40 |
| dB |
ϑ// | ビーム発散角(平行方向) | CW, Ith + 20 mA |
| 19 |
| Deg. |
ϑ丄 | ビーム発散角 (垂直方向) | CW, Ith + 20 mA |
| 17 |
| Deg. |
取り扱い手順
1.推奨ボンディング条件
•ボンディング温度：350℃
•ボンディング力：30グラム（40グラムを超えないこと）
•ボンディング力と温度は徐々に加えること
•ボンディング時間：10秒以下
2.推奨バーンイン条件
条件 1:
•チップヒートシンク温度：100℃
•電流：100mA
•時間：24時間
•合格基準：BI 0時間のLIV1と、BI 24時間のLIV2を比較
•ΔIth（T=25℃）≤1mA、ΔPf（T=25℃）≤10%
条件 2:
•チップヒートシンク温度：100℃
•電流：100mA
•時間：24時間＋48時間
•合格基準：BI 24時間のLIV1と、BI 24時間＋48時間のLIV2を比較
•ΔIth（T=25℃）≤0.7mA、ΔPf（T=25℃）≤5%
