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  • 1962 nm 波長可変DFB レーザー臭化水素（HBr）検知用（TO39 パッケージ）

    • 1962 nm 波長可変DFB レーザー臭化水素（HBr）検知用（TO39 パッケージ）     


    The PL-DFB-1962-A-A81 1962nm DFB laser diode module made by LD-PD is a cost effective, highly coherent laser source. The DFB laser diode chip is packaged in an industry standard hermetically sealed TO39 package with TEC and PD Built in.



    製品 モデル


    ネーム モデル 価額
    1962nm DFB SMレーザー TO39   [PDF]  [RFQ]

    PL-DFB-1962-A-A81-TO39
    Stock NO.: A80011302     		[お問い合わせください]
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    パラメータ


    特長

    ● Narrow Linewidth < 2MHz

    ● Excellent wavelength control and stability

    ● Industry Standard TO39 package

    ● Mode-Hop free tuning

    ● Excellant reliability

    ● Customer specific wavelengths available

    レーザー仕様

    Electrical/Optical Characteristics (Tsub=25°C, CW bias unless stated otherwise)

    Parameter

    Symbol

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Centre Wavelength

    λ

    1961

    1962

    1963

    nm

    Side Mode Suppression Ratio

    SMSR

    30

    40


    dB

    Threshold Current

    Ith


    20

    30

    mA

    Operating Current

    Iop


    80

    120

    mA

    Chip output Power

    Pf

    4

    5

    6

    mW

    Quantum Efficiency

    η

    0.08

    0.12


    mW/mA

    Current Tuning Coefficient

    ∆λ/∆I


    0.015


    nm/mA

    Temperature Tuning Coefficient

    ∆λ/∆T


    0.12


    nm/K

    Forward Voltage

    Vf


    1.3

    2

    V

    Thermistor Resistance

    RT

    9.5

    10

    10.5

    KΩ

    Thermistor Temp. Coefficient



    -4.4


    %/°C


    Spectrum

    1962.jpeg


    L-I Curve

    1984.1.png

    Tuning characteristics

    1962.1.jpeg

    DFB Linewidth Testing Result

    3F}3~5GMTW8F9$)8_GB@VSG.png


    Power Stability

    %)LDF`X4NYV5945LZBZZENX_副本.png


    Beam Quality

    D)XRNI6(B736%L%HB68S3.jpg    

    2D 


     ZUYY5)4Z332N5V9_ZJ`JF.png

    3D

    Camera Analysis 

    89A31A99B922B0A5004C93A98748FF54.png

    寸法およびピン定義

    Uinte（mm）

    t3.jpg


    Absolute Maximum Ratings

    Item

    Unit

    Min

    Typ

    Max

    Case Temperature

      ℃

    -5

    25

    70

    Chip Temperature

    ℃

    +10

    25

    40

    Operating Current

    mA

    0

    100

    120

    Forward Voltage

    V

    0.8

    1.2

    1.8

    TEC Current

    A

    -

    -

    1.2

    Reverse Voltage（LD）

    V

    -

    -

    2.0

    Reverse Voltage(PD)

    V

    -

    -

    20


    HBr

    XAAPEHYT%%EV]HO7@@KN0XC.jpg

    応用 / 用途

    ● Tunable diode laser absorption spectroscopy

    ● HBr Monitoring

    注文情報

    PL-DFB-□□□□-☆-A8▽-TO39

    □□□□：Wavelength

    1530: 1530nm

    1653.7: 1653.7nm

    *****

    1962: 1962nm

    ☆ ：Output Power

    A：5mW

    B：10mW

    ▽：Wavelength Tolerance

    1：±1nm

    2：±2nm



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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