中心波長:1550㎚、出力:6mW、スペクトル幅:3.5nm、最小注文数量:200個
| 型番 : FP-Chips-A-A83-W1550 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : I80012005 |
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本レーザーは 半導体 InGaAsP FPレーザー で、1550nm 波長で動作します。デバイスは チップ および レーザーバー 形式で提供可能です。
高性能かつ高信頼性のレーザーであり、各種光ファイバ通信ネットワーク および データセンター の用途に適しています。
パラメータ | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
出力光パワー Po | T=25℃ | 5 | 6 | - | nm |
IOP =Ith+20mA | |||||
しきい値電流Ith | T=25℃ | - | 8.5 | 13 | mA |
T=85℃ | - | 25 | 35 | mA | |
傾き効率 SE | T=25℃ | 0.25 | 0.3 | - | W/A |
T=85℃ | 0.15 | 0.2 | - | W/A | |
中心波長 (λ₀) | T=25℃ | 1530 | 1550 | 1570 | nm |
IOP =Ith+20mA | |||||
スペクトル幅 AX (FWHM) | IOP =2XIth | - | - | 3.5 | nm |
バックサイド光パワー Pb | T=25℃ | 0.2 | 0.4 | - | mW |
IOP =Ith+20mA | |||||
放射ビーム角( FWHM) | 9丄丄 | - | 45 | 50 | deg |
9//// | - | 25 | 30 | deg | |
順方向電圧 Vf | Iop=50mA | - | 1.2 | 1.5 | V |
テスト曲線(典型値)

