応答波長範囲: 800~3600nm、材料:InGaAs、有効受光面積:1mm、TO5パッケージ
| 型番 : PL-IG-AR1-W3600-TO |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : E80043068 |
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InAs 光起電型(フォトボルタイック)検出器は、PbS 光導型検出器と同様に、約 3 μm の赤外領域で高感度を持ち、さらに低ノイズ、高速、高信頼性を備えています。さまざまなタイプがあり、非冷却条件でも高性能を発揮できます。
電気/光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定
パラメータ | 記号 | 単位 | 典型値 |
有効光学直径 | Φ | mm | 1 |
感度スペクトル | λ | nm | 800-3600 |
感度 | Re (VR=-0.2V, λ=800nm) | mA/mW | 0.08 |
Re (VR=-0.2V, λ=3000nm) | mA/mW | 1 | |
Re (VR=-0.2V, λ=3600nm) | mA/mW | 0.2 | |
応答時間 | Tr (RL=50Ω,VR=-0.2V) | ns | 700 |
シャント抵抗 | RSH | ohm | 70 |
暗電流 | Id (VR=-0.2V) | µA | 250 |
逆方向ブレークダウン電圧 | VBR (IR=10μA) | V | 1 |
接合容量 | Cj (f=1MHz, VR=-0.2V) | pF | 20 |
飽和光出力 | Ps(VR=-0.2V) | mW | 2 |
NEP(λ=λp) | W/HZ1/2 | 1.5X10-11 | |
動作電圧 | VR | V | 0-0.2 |
パッケージ | 気密パッケージ TO5 | ||
典型特性曲線
受光感度(R)[A/W]

暗電流VS逆方向電圧

シャント抵抗 vs 素子温度

リニア

感度均一性

応用回路
