中心波長

λ

1539.5

1540

1540.5

nm

SMSR

SMSR

30

40

dB

しきい値電流

Ith

20

30

mA

動作電流

  Iop

80

120

mA

チップ出力光パワー

Pf

10

15

30

mW

量子効率

η

0.08

0.12

mW/mA

電流チューニング係数

∆λ/∆I

0.015

nm/mA

温度チューニング係数

∆λ/∆Ｔ

0.12

nm/K

順方向電圧

Vf

1.3

2

V

サーミスタ抵抗

RT

9.5

10

10.5

KΩ

サーミスタ温度係数

-4.4

%/°C

コネクタ

FC/APC

1

サーミスタ

8

ケース接地

2

  サーミスタ

9

ケース接地

3

  LD（–）

10

NC

4

  検出器（＋）

11

LD(+)

5

  検出器（–）

12

LD (–), RF 

6

 TEC（＋）

13

LD (+)

7

 TEC（–）

14

NC

1

TEC(+)

8

ケース接地

2

サーミスタ

9

NC

3

検出器(+)

10

レーザーアノード（＋）

4

検出器(-)

11

レーザーカソード（−）

5

サーミスタ

12

NC

6

NC

13

NC

7

NC

14

TEC(-)

ケース温度

  ℃

-5

25

70

チップ温度

℃

+10

25

40

動作電流

mA

0

100

150

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-

1.2

逆方向電圧（LD）

V

-

-

2.0

逆方向電圧(PD)

V

-

-

20