本レーザは、1625 nm、1648.2 nm、1650.9 nm、または 1653.7 nm の波長帯で動作する InGaAsP 半導体 DFB レーザです。デバイスは チップ形態での提供が可能です。高性能かつ高信頼性を特長とし、ガス検知用途に適しています。