特長
· 通信グレードGR-468-CORE高信頼性基準に適合
· 中心波長：974nm
· 複数の光出力仕様：400/600/800/1000mW
· ピグテイルタイプ：PM/SM
· ピグテイルサイズ：クラディング125μm/コーティング250μm
レーザー仕様
技術仕様
表 2-1 極限動作条件
仕様 | 符号 | 記号 | 最小値 | 最大値 | 注記 |
LD正方向電流 | If | A |
| 1.1*EOL | CW |
LD逆方向電圧 | Vr | V |
| 2 |
|
LD逆方向電流 | Ir | μA |
| 10 |
|
LD ESD 損失 | VESD,LD | V |
| 500 | C=100pF,R=1.5kΩ,HBMModel |
PD逆方向電圧 | Vr,PD | V |
| 20 |
|
PD正方向電流 | Ir,PD | mA |
| 10 | バイアス電圧-5V |
PD ESD 損失 | VESD,LD | V |
| 300 | C=100pF,R=1.5kΩ,HBMModel |
TEC電流 | ITEC,AMR | A | -2 | 3 |
|
TEC電圧 | VTEC,AMR | V | -3 | 4.7 |
|
動作環境温度 | TC | ℃ | -5 | 75 |
|
保存温度 | Tstg | ℃ | -40 | 85 | 2000hrs MAX |
LD動作温度 | Ts | ℃ | 10 | 40 | 期間：1分未満 |
動作相対湿度 | RHop | % | 5 | 85 | 乾燥空気1.0 kg中の含水量は0.024 kgを超えないこと |
保存相対湿度 | RHstg | % | 5 | 85 |
|
リード溶接温度 | Tsoldering | ℃ |
| 400 | 期間<10s, Tc≤75°C |
仕様 | 符号 | 記号 | 最小値 | 最大値 | 注記 |
ピグテールの軸方向引張力 |
| N |
| 5 | 3*10s |
ピグテールの横方向引張力 |
| N |
| 2.5 | 3*10s |
光ファイバーの曲げ半径 |
| mm | 20 |
|
|
注意：
極限動作条件とは、デバイスが短時間耐えられる最大定格値を指します。最大定格を超えて動作させると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。また、最大定格条件に長時間曝露すると、デバイスの信頼性および寿命に影響を及ぼす可能性があります。
特に指定がない限り、デバイスの動作条件は以下の通りです：
ケース温度：−5°C ～ +75°C
FBG温度：−5°C ～ +75°C
LD動作温度：25°C（任意のケース温度における値）
PDバイアス電圧：−5V
スペクトル解析（動作温度 25deg、電流 200 mA）
L–I特性（例として 600 mW 版を使用）
光出力安定性
表 2-2 製品モデル仕様
PN# | シリーズ名 | 中心波長設定 | 出力設定 | 光ファイバータイプ設定 |
型番：PL-FP-974-OOOO-FF | PL-FP | 974 | OOOO | FF |
注意：
光出力レベルは「OOOO」で表示され、選択可能なパラメータは 4000、5200、7000 です。具体的な意味は 表 2-3 を参照してください。
中心波長は「74」で表示され、デバイスの中心波長の代表値は 974 nm です。具体的な波長仕様は 表 2-5 を参照してください。
ファイバータイプは「FF」で表示され、選択可能なパラメータは PM／SM です。具体的な意味は 表 2-4 を参照してください。
表 2-3 出力レベル別動作パラメータ
出力レベル「OOOO」 | BOLにおける最大光出力 (Pop, BOL (mW)) | BOLにおける最大動作電流 (Iop, BOL (mA)) | Kinkフリー最小出力 (Pkink (mW) |
A | 400 | 820 | 440 |
B | 600 | 1000 | 600 |
C | 800 | 1200 | 800 |
D | 1000 | 1500 | 1000 |
出力レベル「OOOO」 | EOL時の最大動作電流 (Iop, EOL)Kinkフリー最大電流 (Ikink) | EOL時の最大動作電圧 (Vop, EOL) | EOL時の最大動作電流 (ITEC, EOL) | EOL時のTEC最大動作電圧 (VTEC, EOL) |
A | 902 | 2 | 2.3 | 3.8 |
B | 1200 | 2.15 | 2.4 | 3.9 |
C | 1400 | 2.3 | 2.6 | 4.2 |
D | 18000 | 2.5 | 3 | 4.5 |
注意
TEC最大動作電流/TEC最大動作電圧は、環境温度75°C、ダイ温度25°C、及びLD出力電力Pop*1.1の条件下で、TECが要求する最大電流および最大電圧を意味します。
表2-4 光ファイバータイプオプションパラメータとファイバーのパラメータ
ファイバータイプ「FF | ファイバータイプ | カットオフ波長 (nm) | クラディング直径 (μm) | コーティング直径 (μm) | コア/クラッド同心度 (μm) | モードフィールド直径 (MFD) @980nm (μm) |
PM | PM980 | ≤970 | 125±1 | 250±10 | ≤0.5 | 6.55±0.55 |
SM | HI1060 | ≤970 | 125±1 | 250±5 | ≤0.5 | 5.9±0.5 |
2-5仕様表
仕様 | 符号 | 記号 | 最小値 | 最大値 | 注記 |
しきいち電流 | Ith | mA |
| 110 |
|
13dB帯域幅 | Δλ | nm |
| 1 |
|
FBG温度ドリフト係数 | Δλp/ΔT | nm/℃ |
| 0.02 |
|
出力安定性 | ΔPf_t |
|
| 0.5% | デバイス電力レベル：4000または5200； PV値、光出力100mW～Pop、BOL、サンプリング周波数1Hz、サンプリング時間1分； |
|
|
|
| 5% | デバイス電力レベル：7000； PV値、光出力100mW～Pop、BOL、サンプリング周波数1Hz、サンプリング時間1分； |
3dB帯域幅中心波長安定性 | Δλp | nm |
| 0.05 | デバイス電力レベル：4000または5200； 50mW ≤ Pf ≤ Pop、Δλp = Max(λp) - Min(λp)、1時間以内； |
|
|
|
| 0.5 | デバイス電力レベル：7000； 50mW ≤ Pf ≤ Pop、Δλp = Max(λp) - Min(λp)、1時間以内； |
中心波長 | λC | nm | 973 | 975.3 |
|
バックライトPDレスポンシビリティ | RMPD | μA/mW | 0.1 | 20 | Pf=Pop, Vr,PD=5V |
バックライトPD暗電流 | ld | nA |
| 300 | Vr,PD=5V |
信号対雑音比 | SNR | dB | 20 |
| 50mW ≤ Pf ≤ Pop |
注意
上記の仕様は、特に指定がない限り、次のデバイス動作条件に基づいています：ケース温度範囲は -5°C ~ +75°C、FBG温度範囲も -5°C ~ +75°C、LD（レーザーダイオード）の動作設定温度は 25°C であり、これは任意のケース温度においても設定されます。PD（フォトダイオード）のバイアス電圧は -5V と設定されています。
寸法およびピン定義
表 3-1 PIN 定義
ピン | 説明 | ピン | 説明 |
8 | N/C | 7 | N/C |
9 | N/C | 6 | N/C |
10 | LD アノード (+) | 5 | サーミスタ |
11 | LD カソード (-) | 4 | モニタカソード (+) |
12 | N/C | 3 | モニタアノード (-) |
13 | パッケージグランド | 2 | サーミスタ |
14 | TEC (-) | 1 | TEC (+) |
図 3-2 PIN ピン定義
注意：表中のPIN 3/4/10/11の説明では、文字は電子部品の極性を示し、括弧内の記号は外部電源の極性を示しています。MPDは負電圧で動作するため、MPDの極性は外部電源の極性と逆になります。
表 3-2 パッケージ形状と寸法
ピン | 説明 | ピン | 説明 |
8 | N/C | 7 | N/C |
9 | N/C | 6 | N/C |
10 | LD アノード (+) | 5 | サーミスタ |
11 | LD カソード (-) | 4 | モニタカソード (+) |
12 | N/C | 3 | モニタアノード (-) |
13 | パッケージグランド | 2 | サーミスタ |
14 | TEC (-) | 1 | TEC (+) |
図 3-3 寸法とピンフットマーキング（単位：mm）
安全上の注意
●レーザー出力は不可視光です。レーザー作動中は、レーザーを直接または間接的に目や皮膚に照射しないでください。
●輸送、保管、使用時には静電気対策を行ってください。輸送や保管時には、ピン間に短絡クリップを接続する必要があります。
●レーザー作動前に、光ファイバーの出力端が適切に清掃されていることを確認してください。光ファイバーの取り扱いや切断時は、安全手順に従い、怪我を防いでください。
●定電流電源を使用し、作動中のサージを避けてください。
●定格電流および定格出力内で使用してください。
●レーザー作動時は十分な放熱を確保してください。
●レーザー設置前に、装置底面およびレーザー取り付け面が平らで異物がないことを確認してください。
●レーザーを設置する際は、ネジを斜め順に仮締めした後に交差締めを行ってください。推奨トルクは1.2 ± 0.12 kgf·mです。
！注意：指示に従わない場合、危険な放射線被曝の原因となる可能性があります。
応用 / 用途
· EDFA（エルビウムドープファイバアンプ）アプリケーション
· 産業用途
注文情報
PN# | 説明 |
PL-FP-974-A-A81-SA-FBG Stock NO.: A80022079 | 光出力：400mW、中心波長：974nm、ピグテイルタイプ：HI1060、FC/APC |
PL-FP-974-A-A81-PA-FBG Stock NO.: A80022080 | 光出力：400mW、中心波長：974nm、ピグテイルタイプ：PM980、FC/APC |
PL-FP-976-B-A81-SA-FBG Stock NO.: A80022083 | 光出力：600mW、中心波長：974nm、ピグテイルタイプ：HI1060、FC/APC |
PL-FP-976-B-A81-PA-FBG Stock NO.: A80022084 | 光出力：600mW、中心波長：976nm、ピグテイルタイプ：PM980、FC/APC |
PL-FP-974-C-A81-SA-FBG Stock NO.: A80022081 | 光出力：800mW、中心波長：974nm、ピグテイルタイプ：HI1060、FC/APC |
PL-FP-974-C-A81-PA-FBG Stock NO.: A80022082 | 光出力：800mW、中心波長：974nm、ピグテイルタイプ：PM980、FC/APC |
PL-FP-976-C-A81-SA-FBG A80022087 | 光出力：800mW、中心波長：976nm、ピグテイルタイプ：HI1060、FC/APC |
PL-FP-976-C-A81-PA-FBG Stock NO.: A80022088 | 光出力：800mW、中心波長：976nm、ピグテイルタイプ：PM980、FC/APC |
PL-FP-976-D-A81-SA-FBG Stock NO.: A80022085 | 光出力：1000mW、中心波長：976nm、ピグテイルタイプ：HI1060、FC/APC |
PL-FP-976-D-A81-PA-FBG Stock NO.: A80022086 | 光出力：1000mW、中心波長：976nm、ピグテイルタイプ：PM980、FC/APC |
