PL-FP-910-2-A82-PA 910 nm ポンプレーザーモジュールは、製造プロセスの拡張性を大幅に向上させるため、革新的な設計手法と最新の材料技術を採用したレーザーモジュールです。
本モジュールは半冷却(セミクールド)方式で45℃動作するレーザーダイオードを搭載しており、TECおよび全体の消費電力を大幅に低減します。また、940~980 nmポンプモジュール用の耐密封性能および信頼性要件を満たしており、Telcordia GR-468-COREを含む通信業界の厳格な規格に準拠しています。
さらに、本モジュールはファイバーブラッググレーティング(FBG)による波長安定化を採用しており、温度変化、駆動電流変動、光フィードバック下でもノイズの少ない狭帯域スペクトルを維持します。波長選択も可能で、最大出力を維持しつつ、スペクトル制御性能が求められる高性能アプリケーションに最適です。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 光出力:最大150 mW
· FC-APCコネクタ
· 14ピンバタフライパッケージ
· ファイバブラッググレーティングによる波長安定化
· 波長選択可能
· 内蔵熱電冷却器(TEC)、サーミスタ、およびモニタダイオード
· 高ダイナミックレンジ
· 優れた低出力安定性
電気・光学特性(基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波(CW)動作)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長 | λ | 905 | 910 | 915 | nm |
スペクトル幅 | ∆λ | 0.6 | 0.8 | 2 | nm |
しきい値電流 | Ith | 30 | 40 | mA | |
動作電流 | Iop | 120 | 200 | mA | |
光出力パワー | Pf | 70 | 100 | 150 | mW |
波長範囲vs温度 | Δλ/T | 0.01 | ㎚/℃ | ||
トラッキング比(0.1 Pop < Pf < Pop) | TR | 0.52 | 1.48 | ||
トラッキング誤差 | TE | -48 | 48 | ||
モニターダイオード感度 | IBF | 0.5 | 5 | ㎛/㎽ | |
サーミスタ抵抗(設定温度 Tset = 25°C) | Rth | 9.5 | 10.5 | ΚΩ | |
PD暗電流(VRD=5V) | ld | 0.1 | uA | ||
消光比 | PER | 17 | 20 | dB | |
結合ファイバタイプ | HI1060 | ||||
順方向電圧 | Vf | 1.8 | 2.6 | V | |
サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
サーミスタ温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
コネクタ | None or FC/APC | ||||
トラッキング比は、出力光パワーの変化に対する前面光と背面モニタ光の追従性を示す指標です。
光出力を背面フォト電流に対してプロットしたグラフ上で、最小出力(30 mW)点と動作出力(Pop)点を結ぶ直線を引きます。
トラッキング比は、プロット上の測定データ点に対する直線上の理論値との比として定義されます。
トラッキング誤差は、25℃における出力光パワー Pf に対する正規化変化として定義されます:
Tracking Error=Pf−Pf25/Pf25
この評価は、ケース温度範囲 0~75℃ において、Pf = Pop の 0℃、25℃、75℃ に対応する最小背面モニタ電流での定電流条件下で行います。
サーミスタの抵抗値から温度を計算するためのデータシートが用意されています。詳細については弊社までお問い合わせください。
スペクトル

L–I特性

Unit(mm)


1 | TEC(+) | 8 | N/C |
2 | サーミスタ | 9 | N/C |
3 | PD モニタアノード (-) | 10 | レーザアノード(+) |
4 | PDモニタカソード(+) | 11 | レーザカソード(–) |
5 | サーミスタ | 12 | N/C |
6 | N/C | 13 | ケース接地 |
7 | N/C | 14 | TEC (–) |
HI 1060 ファイバ 公称特性および公差
パラメータ | 仕様 |
カットオフ波長 | 920nm |
最大減衰 | 2.1dB/km |
クラッド径 | 125um |
コーティング径 | 250um |
コアとクラッドの同心度 | ≤0.5um |
モードフィールド径 | 5.9um |
絶対最大定格
項目 | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 試験条件 |
ケース温度 | TOP | ℃ | -5 | 25 | 70 | |
チップ温度 | TLD | ℃ | +10 | 25 | 50 | |
動作電流 | If-max | mA | 0 | 150 | 200 | |
順方向電圧 | VR | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 | |
TEC電流 | I TEC | A | - | 1.2 | 2.0 | |
TEC電圧 | VTEC | |||||
軸方向引張力 | N | - | - | 5N | 3x10s | |
側面引張力 | N | - | - | 2.5N | 3x10s | |
光ファイバ曲げ半径 | 16mm | - | ||||
逆電圧(LD) | V | - | - | 1.8 | C=100pF,R=1.5KΩ,HBM | |
逆電圧(PD) | VPD | V | - | - | 10 | C=100pF,R=1.5KΩ,HBM |
LD静電気放電 | VESD-LD | V | - | 1000 | ||
PD静電気放電 | VESD-PD | V | - | 500 | ||
PD順方向電流 | IPF | mA | - | 10 | ||
リードはんだ付け時間 | S | - | 10s | 300℃ | ||
保管温度 | TSTG | ℃ | -40 | - | +85 | 2000hr |
動作温度 | TOP | ℃ | - | |||
相対湿度 | RH | 5% | 95% |
絶対最大定格とは、モジュールに短時間だけ印加しても損傷を引き起こさない最大の応力値であり、表5に示されています。
絶対最大定格を超える応力が加わると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。
また、絶対最大定格に長時間さらしたり、複数の絶対最大定格を同時に超える条件下では、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。これらの条件下では、仕様が必ずしも満たされるとは限りません。
·ポンプレーザー
·高密度波長分割多重(DWDM)
·小型パッケージ向けEDFA
·高ビットレート・高チャネル数EDFA
·CATV配信
PL-FP-□□□□-☆-A8▽-XX
□□□□:波長
405: 405nm
633: 633nm
680: 680nm
850: 850nm
915: 915nm
980: 980nm
*****
1550:1550nm
☆ :出力
A:50mW
B:100mW
C:150mW
▽:波長許容範囲
1:±1nm
2:±2nm
XX: ファイバ及びコネクタタイプ
SA=HI1060+ FC/APC
SP=HI1060+ FC/PC
PP=PM 980 + FC/PC
PA=PM980+ FC/APC
LD-PD ポンプレーザーモジュールは、危険な目に見えないレーザー放射を発します。
ポンプモジュールは小型であるため、パッケージには下記のレーザー放射危険マークおよび安全警告ラベルが表示されています。
本レーザーダイオードから放射されるレーザー光は目に見えず、目に有害な場合があります。動作中は光ファイバを直接覗き込まないでください。
注意: 本製品を光学機器と併用すると、眼への危険性が高まります。
レーザーダイオードを絶対最大定格外で使用すると、デバイスの故障や安全上の危険を引き起こす可能性があります。使用する電源は、最大ピーク光出力を超えないようにしてください。
連続波(CW)レーザーダイオードは、過剰な駆動電流やスイッチング過渡により損傷することがあります。電源を使用する場合は、レーザーダイオードを接続する際、主電源をオンにして出力電圧をゼロにしてください。レーザーダイオードの出力光と駆動電流を監視しながら、電流は徐々に上げる必要があります。
指定性能を長期間維持するためには、放熱および適切な取り付けに注意が必要です。放熱板への熱伝達を最大化するには、放熱板取り付け面の平坦度は0.001インチ以内で、取り付けネジは1.5 in/lb のトルクで締め付けてください。
ESD保護
静電気放電(ESD)は、レーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。ESD防止には十分注意してください。取り扱い時は、静電気防止手首ストラップ、接地された作業面、および厳格な静電気対策を使用してください。