発光波長

λR

852±1nm

しきい値電流

Ith

0.5

mA

光出力

Popt

0.25

mW

しきい値電圧

Vth

1.8

V

駆動電流

Iop

2

mA

Popt = 0.3 mW

レーザー電圧

Vop

2

V

Popt = 0.3 mW

光変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.3 mW

傾き効率

ηs

0.3

W/A

微分直列抵抗

Rs

250

Ω

Popt = 0.3 mW

3dB帯域幅

V3dB

0.10

GHz

Popt =0.3 mW

ESD保護用ダイオード内蔵

相対強度雑音

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

電流による波長チューニング

0.6

nm/mA

温度変化による波長チューニング

0.06

nm/K

熱抵抗（VCSELチップ）

Rthermal

3

5

K/mW

SMSR

25

dB

I  = 2 mA

ビーム発散角

θ

10

25

°

Popt = 0.3 mW 1/e² 全幅

スペクトル幅

100

MHz

Popt = 0.3 mW

TEC電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

適切な放熱器（ヒートシンク）必要

NTC熱抵抗

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC熱抵抗

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}