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  • 1.5mm Large Area InGaAs/InP PIN Photodiode Chip

    • 1.5mm Large Area InGaAs/InP PIN Photodiode Chip


    Response wavelngth 900-1650nm, responsivity: 0.90A/W@1.31µm or 0.95A/W@1.55µm, Material InGaAs/InP, Active area Diameter 1.5mm, Die Package,

    型番  :  LP-PD-D1.5
    価格  :  USD [お問い合わせください]
    納期  :   [お問い合わせください]
    在庫数量   :   [お問い合わせください]
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    お薦め

    LD-PD's  InGaAs pin structure based on InP by MOCVD method and planar diffusing technology. The sensitive areas of TO photodiode series products are φ1.5mm. The products with other sensitive area, shape or package style can also be provided according to the demand of users.  

    Specification   (Tc=25℃)

    Parameter

    Symbol

    Min.

    Typ.

    Max.

    Unit

    Test Conditions

    Response range

    λ

    900


    1650

    nm


    Responsivity

    R

    0.85

    0.90


     A/W

    λ= 1310nm


    0.95


    λ= 1550nm


    0.2


    λ=850nm

    Dark current

    ID


    7.0

    20.0

    nA

    VR=5V

    Capacitance

    C


    125

    180

    pF

    VR=5V, f= 1MHz


    Absolute Maximum Ratings

    Parameter

    Symbol

    value

    Unit

    Reverse voltage

    VRmax

    20

    V

    Operating temperature

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    Storage temperature

    Tstg

    -55 to +125

    ℃



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2026 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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