1G　Si APD 検出器モジュール

応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：1GHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP

型番 : APD-1G-C

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概況
仕様
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本Siアバランシェフォトディテクタモジュールは、低雑音APD、低雑音広帯域トランスインピーダンスアンプ（TIA）、超低雑音絶縁電源、高電圧電源、およびAPD温度補償機能を統合しています。

絶縁電源により、出力信号は外部電源の影響を受けにくく、APD温度補償により検出モジュールの安定性が向上します。

本アバランシェフォトディテクタは、高利得、高感度、広帯域、低雑音を特長としています。

製品型番	APD-100M-C	APD-200M-C	APD-300M-C	APD-400M-C	APD-500M-C	APD-1G-C	APD-2G-C	単位
検出器タイプ	Si
波長	400－1100							nm
帯域幅	100M	200M	300M	400M	500M	1G	2G	Hz
受光感度	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	A/W@850nm
トランスインピーダンスゲイン	300K	300K	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	50	50	Ω
飽和光入力	13	13	13	13	13	13	30	uW
雑音等価電力（NEP）	0.18	0.18	0.18	0.18	0.18	0.2	0.2	pW/√(Hz)
出力結合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC	AC	AC
電源電圧	5	5	5	5	5	12	12	V
電源電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光入力	FC/APC(フリースペースオプション)
RF出力	SMA
外形寸法	655025							mm

関連

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
100Ｍ　Si APD 検出器モジュール [PDF]	APD-100M-C	応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：100 MHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
200Ｍ　Si APD 検出器モジュール [PDF]	APD-200M-C	応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：200 MHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
300Ｍ　Si APD 検出器モジュール [PDF]	APD-300M-C	応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：300 MHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
400Ｍ　Si APD 検出器モジュール [PDF]	APD-400M-C	応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：400 MHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 400MHz リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
500Ｍ　Si APD 検出器モジュール [PDF]	APD-500M-C	応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：500 MHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 500MHz リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
2G　Si APD 検出器モジュール [PDF]	APD-2G-C	応答波長範囲：400～1100 nm、帯域幅：2GHz、材料：Si、受光感度：0.55 A/W @ 850 nm、光入力：FC/AP	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム:	[お問い合わせください] Call us

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