中心波長

λ

1989

1990

1991

nm

 サイドモード抑圧比

SMSR

30

40

dB

 しきい値電流

Ith

20

25

mA

 動作電流

Iop

100

120

mA

 チップ出力パワー

Pf

2

3

4.3

mW

量子効率

η

0.08

0.12

mW/mA

 電流波長可変係数

∆λ/∆I

0.015

nm/mA

 温度波長可変係数

∆λ/∆T

0.12

nm/K

 順方向電圧

Vf

1.3

2

V

  サーミスタ抵抗値

RT

9.5

10

10.5

KΩ

 サーミスタ温度係数

-4.4

%/°C

コネクタ

FC/APC

1

サーミスタ

8

ケース接地

2

サーミスタ

9

ケース接地

3

LD(–)

10

N/C

4

N/C

11

LD(+)

5

N/C

12

LD(–)

6

TEC (+)

13

LD(+)

7

TEC (-)

14

N/C

 ケース温度

  ℃

-5

25

70

チップ温度

℃

+10

25

40

動作電流

mA

0

100

120

 順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

 TEC電流

A

-

-

1.2

逆方向電圧（LD）

V

-

-

2.0

 逆方向電圧（PD）

V

-

-

20