1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4 Array Photodetector Chip


Operating Wavelength 1310nm, Active Area Diameter 20μm, Reponsivity ≥0.76 A/W@1.55μm, 3 dB Bandwidth (50Ω TIA) 24GHz, MOQ:20 PCs

型番  :  APC-1310-1x4-100
価格  :  USD [お問い合わせください]
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This product is a 1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4 array photodetector chip that performs photoelectric conversion and is suitable for applications in data communication, microwave photonics, and related fields.

Test conditions: 25 °C, unless otherwise specified

Parameters

Symbol

Test condition

Min

Typ

Max

Unit

Operating   Temperature

T0


0


75

Storage Temperature

Ts


-40


85

Operating   Wavelength

λ



1310


nm

Bias Voltage

Vb



3

6

V

Active Area Diameter

Ф



20


μm

Responsivity

R

λ = 1550 nm, Vb= 3 V


0.76


A/W

Dark Current

Id

Vb= 3 V


0.2

1.0

nA

Capacitance

C

Vb= 3 V


80


fF

Series Resistance

Rs



10


Ω

3 dB Bandwidth (50Ω Load)

BW

Ps,o = 0 dBm, Vb= 3 V


24


GHz


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