850nm 100Gb/s InGaAs 1×4 Array Photodetector Chip


Operating Wavelength 850nm, Active Area Diameter 32μm, Reponsivity ≥0.6 A/W@1.55μm, 3 dB Bandwidth (15 Ω TIA) 32GHz, MOQ:20 PCs

型番  :  APC-850-1x4-100
価格  :  USD [お問い合わせください]
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This product is an 850 nm 100 Gb/s InGaAs 1×4 array photodetector chip that performs photoelectric conversion. It is suitable for applications such as multimode transceivers and optical receivers.

Unless otherwise specified, measurements are taken at 25°C

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Operating Temperature

To


0


75

°C

Storage Temperature

Ts


-40


85

°C

Operating Wavelength

λ



850


nm

Bias Voltage

Vb


3


6

V

Active Area Diameter

Φ



32


μm

Responsivity

R

λ = 1550 nm, Vb = 3 V


0.6


A/W

Dark Current

Id

Vb = 3 V


0.1

1

nA

Capacitance

C

Vb= 3 V


100


fF

Series Resistance

Rs



10


Ω

3 dB Bandwidth (15 Ω TIA)

BW

Ps, o= 0 dBm, Vb = 3 V


32


GHz



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