15mm Large Area InGaAs/InP PIN Photodiode Chip


Response wavelngth 900-1650nm, responsivity: 0.9A/W@1.31µm or 0.95A/W@1.55µm, Material InGaAs/InP, Active area Diameter 15mm, Die Package, (Min Order:100PCS)

型番  :  LP-PD-D15
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  2
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LD-PD's  InGaAs pin structure based on InP by MOCVD method and planar diffusing technology. The sensitive areas of TO photodiode series products are φ5mm、φ10mm、φ15mm respectively. The products with other sensitive area, shape or package style can also be provided according to the demand of users.

Parameters (Tc=25℃)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.85

0.9


A/W

λ = 1310 nm


0.95


λ = 1550 nm


0.2


λ = 850 nm

Dark current

I_D

40


150

nA

V_R = -2 V

Capacitance

C


60


nF

V_R = -2 V, f = 1 MHz


Absolute Maximum Ratings

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

VRmax

5

V

Forward current

10

mA

Operating temperature

Topr

-40 to +85

Storage temperature

Tstg

-55 to +125


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