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  • 15mm大面積InGaAs/InP PINフォトダイオードチップ

    • 15mm 大面積 InGaAs/InP PIN フォトダイオードチップ


    応答波長範囲：900～1650 nm、受光感度（Responsivity）：0.9 A/W @ 1.31 µm、または 0.95 A/W @ 1.55 µm、材料：InGaAs/InP、有効受光径：φ15 mm、パッケージ：ダイ（チップ）、最小注文数量（MOQ）：100個

    型番  :  LP-PD-D15
    価格  :  USD [お問い合わせください]
    納期  :  在庫あり
    在庫数量   :   [お問い合わせください]
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    お薦め

    LD-PDのInGaAs PIN構造フォトダイオードは、MOCVD法によりInP基板上に成長され、プレーナ拡散技術を用いて製造されています。
    TOパッケージのフォトダイオードシリーズは、有効受光径としてφ5 mm、φ10 mm、φ15 mmをそれぞれラインアップしています。
    また、ユーザーのご要望に応じて、受光径、形状、パッケージ形態のカスタマイズにも対応可能です。


    パラメータ(Tc=25℃)

    パラメータ

    記号

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    試験条件

     応答波長範囲

    λ

    900


    1650

    nm


    応答度

      

    R

    0.85

    0.9


    A/W

    λ = 1310 nm


    0.95


    λ = 1550 nm


    0.2


    λ = 850 nm

    暗電流

    I_D

    40


    150

    nA

    V_R = -2 V

    静電容量

    C


    60


    nF

    V_R = -2 V, f = 1 MHz


    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    値

    単位

     逆電圧

    VRmax

    5

    V

     順電流

    —

    10

    mA

     動作温度

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    保存温度

    Tstg

    -55 to +125

    ℃

     

     



    ダウンロード

    15mm 大面積 InGaAsInP PIN フォトダイオードチップ.pdf


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    10年以上の実績
    50+
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    累計1万台以上販売
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    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
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