中心波長:905 nm、 出力光パワー:200 mW、 パッケージ:COS、ASE 帯域幅:90 nm、最小発注数量:5 個
| 型番 : HP-GC-905-1-COS |
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ゲインチップは、可変波長ダイオードレーザや高安定外部共振器型ダイオードレーザ を構築するための重要なコンポーネントです。
標準的なレーザダイオードチップとは異なり、ゲインチップは 片面または両面に深い反射防止(AR)コーティング が施されており、自己発振閾値の大幅な向上 や 自己発振の防止 を可能にします。
一般的な外部共振器型ダイオードレーザの構成には Littrow 型 や Littman/Metcalf 型 があり、回折格子を用いて目的波長の光を入射方向に反射させます。波長のチューニングは 格子の回転によって実現 されます。
共振器内のレンズで拡張されたビームを格子に集光し、零次光 をレーザ出力として使用するのが一般的です。
推奨動作点
パラメータ | 値 | 単位 |
電流 | 400 | mA |
順方向電圧 | 1.8 | V |
ヒートシンク温度 | 25 | ℃ |
連続波(CW)動作時の期待チューナビリティパラメータ
推奨動作点、外部共振器:Littman 構成、フィードバック:200%
パラメータ | 値 | 単位 |
最大出力波長(λₘₚ) | 920 | nm |
λₘₚ における光出力 | 200 | mW |
チューニング範囲の中心波長 | 905 | nm |
波長ロック範囲 | 90 | nm |
パラメータ | 値 | 単位 |
チップ共振器長 | 1.5 | mm |
前面ファセット反射率(AR コート済み) | <0.001 | % |
背面ファセット反射率(HR コート済み) | 99 | % |
絶対最大定格
パラメータ | 最小値 | 最大値 | 単位 |
逆方向電圧 | 1 | V | |
順方向電流 | 600 | mA | |
保存温度範囲(元の密封パッケージ内) | 5 | 50 | ℃ |
動作温度範囲 | 20 | 40 | ℃ |
L-Iカーブ

ASEスペクトル

典型性能(外部共振器なし、CW、ヒートシンク温度 25°C、Littman 構成、20% フィードバック、Thorlabs GR-25-1208 グレーティング)出力光パワー:920 nm における値

光スペクトル(150 mA、分解能 0.025 nm)
