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    • 10mm InGaAsピンフォトダイオードチップ


    応答波長 ：900-1650nm、感度（Responsivity）：0.90 A/W @ 1.31 µm、材料：InGaAs/InP、受光部径：Φ 10 mm、パッケージ：ダイパッケージ

    型番  :  LP-PD-D10
    価格  :  USD [お問い合わせください]
    納期  :   [お問い合わせください]
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    お薦め

    LD-PD の InGaAs PIN フォトダイオードは、MOCVD 法による InP 基板上での作製および平面拡散技術に基づいています。TO パッケージシリーズ製品の感度エリアはそれぞれ φ5 mm、φ10 mm、φ15 mm です。ユーザーの要求に応じて、他の感度面積、形状、パッケージスタイルの製品も提供可能です。


    仕様(Tc=25℃)

    パラメータ

    記号

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    試験条件

    応答波長範囲

    λ

    900


    1650

    nm


    感度

     

    R

    0.85

    0.90


    A/W

    λ=   1310nm


    0.95


    λ=   1550nm


    0.2


    λ=850nm

    暗電流

    ID


    15

    100

    nA

    VR=-2V

    静電容量

    C


    12


    nF

    VR=0V, f= 1MHz


    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    値

    単位

    逆方向電圧

    VRmax

    5

    V

     順方向電流


    10

    mA

    動作温度

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    保存温度

    Tstg

    -55 to +125

    ℃


    寸法パラメータ

    パラメータ

    記号

    値

    単位

     受光部径

    D

    10

    mm

     ボンドパッド径

    -

    200

    µm

     ダイサイズ

    -

    10300*10300

    µm

      ダイ厚さ

    t

    200±20

    µm

     

     

     



    ダウンロード

    Large Area InGaAs/InP PIN Photodiode Chip.pdf


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    10年以上の実績
    50+
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    累計1万台以上販売
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    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
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