PD300 InGaAs フォトダイオードチップ


応答波長範囲: 1000~1680nm、材料:InGaAs、有効受光面積:300μm、 ダイパッケージ、サイズ 500 μm × 500 μm(最小注文数量:100個)

型番  :  PD300
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  I80030008
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InGaAs フォトダイオードは 900nm~1700nm の範囲で優れた感度を持ち、テレコム用途や近赤外検出に最適です。
75µm および 120µm のフォトダイオードは、シングルモード/マルチモードファイバー結合用の レンズキャップ付き絶縁 TO-46 パッケージ、または ベアチップとして提供されます。これらのサイズは、アクティブアライメント済みの FC レセプタクル付きバージョンもあります。
75µm フォトダイオードは高速帯域用途に適し、120µm フォトダイオードはアクティブアライメント用途に最適です。3mm フォトダイオードは、広帯域両面 AR コートウィンドウ付き TO-5 パッケージに絶縁された構造です。高いシャント抵抗を持つため、微弱信号の高感度検出に適しています。


電気/光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

感度スペクトル

λ

-

1000~1600

有効直径

$

-

300

mm

感度

Re

λ=1.31μm,   VR=5V, φe=100μW

0.9

-

-

A/W

正方向電圧

VF

IF=1mA

-

0.6

0.7

逆バイアス耐圧

VBR

ID=10μA, φe=0

35

40

-

暗電流

ID

VR=5V, φe=0

-

0.2

0.8

nA

静電容量

CPD

VR=5V, φe=0,   f=1MHz

-

5

8

pF

立ち上がり/下がり時間

Tr/Tf

VR=5V, φe=1mW

-

0.5

1

ns

直流飽和出力

Sat

VR=0V

1

2.5

-

mW

VR=5V

6

14

-




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