応答波長範囲: 1000~1680nm、材料:InGaAs、有効受光面積:300μm、 ダイパッケージ、サイズ 500 μm × 500 μm(最小注文数量:100個)
| 型番 : PD300 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : I80030008 |
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InGaAs フォトダイオードは 900nm~1700nm の範囲で優れた感度を持ち、テレコム用途や近赤外検出に最適です。
75µm および 120µm のフォトダイオードは、シングルモード/マルチモードファイバー結合用の レンズキャップ付き絶縁 TO-46 パッケージ、または ベアチップとして提供されます。これらのサイズは、アクティブアライメント済みの FC レセプタクル付きバージョンもあります。
75µm フォトダイオードは高速帯域用途に適し、120µm フォトダイオードはアクティブアライメント用途に最適です。3mm フォトダイオードは、広帯域両面 AR コートウィンドウ付き TO-5 パッケージに絶縁された構造です。高いシャント抵抗を持つため、微弱信号の高感度検出に適しています。
電気/光学特性(Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | ||
感度スペクトル | λ | - | 1000~1600 | ㎚ | ||||
有効直径 | $ | - | 300 | mm | ||||
感度 | Re | λ=1.31μm, VR=5V, φe=100μW | 0.9 | - | - | A/W | ||
正方向電圧 | VF | IF=1mA | - | 0.6 | 0.7 | Ⅴ | ||
逆バイアス耐圧 | VBR | ID=10μA, φe=0 | 35 | 40 | - | Ⅴ | ||
暗電流 | ID | VR=5V, φe=0 | - | 0.2 | 0.8 | nA | ||
静電容量 | CPD | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | 5 | 8 | pF | ||
立ち上がり/下がり時間 | Tr/Tf | VR=5V, φe=1mW | - | 0.5 | 1 | ns | ||
直流飽和出力 | Sat | VR=0V | 1 | 2.5 | - | mW | ||
VR=5V | 6 | 14 | - | |||||