中心波長:976㎚、出力:1550mW、スペクトル幅:1nm、最小注文数量:10個
| 型番 : FP-Pump CHIPS-B-A81-W976 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : I80012002 |
| メールでお問い合わせくださいお見積り依頼(RFQ) |
このレーザーは、97X nm波長で動作するInGaAsP半導体FP(ファブリ・ペロー)レーザーです。
デバイスは チップ形態 および レーザーバー形態 のいずれでも提供可能です。
高性能かつ高信頼性 を備えており、光ファイバー通信ネットワーク、光伝送システム、および データセンター用途 に適しています。
電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に記載がない限りCWバイアス条件)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長 | λ | 970 | 976 | 980 | nm |
スペクトル幅 | FWHM | - | 1 | 2 | nm |
しきいち電流 | Ith | 60 | 70 | 80 | mA |
動作電流 | Iop | 1500 | 1800 | mA | |
チップ出力パワー | Pf | 1500 | 1800 | mW | |
正方向電圧 | Vf | 1.72 | 1.75 | V | |
キンク偏差 | KINK | 30% | |||
ビーム発散角(平行方向) | ϑ// | 7 | deg | ||
ビーム発散角(垂直方向) | ϑ丄 | - | 22 | deg | |
注記:これらのパラメータは、COSパッケージ製品を 連続動作(CW)モード で 25 °C にて測定した結果に基づいています。
L-I特性カーブ

テスト曲線(典型値)
