本レーザーは 半導体 InGaAsP DFB レーザー で、Cバンド波長範囲で動作します。デバイスは チップ形式 で提供可能です。この 高性能かつ高信頼性のレーザー は、最大 2.5 Gbps の DWDM 用途 に適しています。

電気/光学特性(基板温度 T_sub = 25 °C、特に指定がない場合は連続波 (CW) バイアス)

取扱手順

1.推奨ボンディング条件

·  ボンディング温度： 350 °C

·  ボンディング圧力： 30 g（最大 40 g を超えないこと）

·  ボンディング圧力および温度は段階的に加えるようにしてください。

·  ボンディング時間： 10 秒以内

2. 推奨バーンイン条件

条件 1：

· チップヒートシンク温度： 100 °C

· 電流： 100 mA

· 時間： 24 時間

· 合格基準： LIV 0 時間（LIV1）と 24 時間後（LIV2）を比較

· ΔIth (T = 25 °C) ≤ 1 mA/ ΔPf (T = 25 °C) ≤ 10 %

条件 2：

· チップヒートシンク温度： 100 °C

· 電流： 100 mA

· 時間：24 時間 + 48 時間

· 合格基準： LIV 24 時間（LIV1）と 72 時間後（LIV2）を比較

· ΔIth (T = 25 °C) ≤ 0.7 mA/ΔPf (T = 25 °C) ≤ 5%

外形図

絶対最大定格

注意：

1.絶対最大定格 を超える応力は、デバイスに 永久的な損傷 を与える可能性があります。

2.これらはあくまで絶対応力定格であり、データシートの動作条件を超える条件での正常動作は保証されません。

3.絶対最大定格への長時間の曝露は、デバイスの信頼性に悪影響を与える可能性があります。