50μm InGaAs APDピグテイル付きフォトダイオード


応答波長範囲: 900~1700 nm 、材質:InGaAs、アクティブエリア 50μm、TO-46パッケージ、SMF-28Eファイバー結合 + FC/APC

型番  :  PL-1700-IGA-AR0050 -FSA
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  E80040042
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PL-1700-IGA-AR0050-FSAは、50μmのInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)を使用し、3ピン同軸パッケージに密封(ハーメチック)されたデバイスです。このAPDは、シングルモードファイバーピグテイルに接続されており、光信号の高感度な検出と信号伝送を実現します。

主な特長

低ノイズおよび過負荷耐性に優れたLAPD 3050同軸APDを採用。

本デバイスは、OTDR(光時分割反射計測器)やラインレシーバー、その他の光レベル検出および信号伝送アプリケーションに最適です。

アクティブエリアサイズに対応する任意の光ファイバーにピグテイル接続が可能です。

ピグテイル仕様

ピグテイルのコア径は3μm~100μmの範囲で選択可能です。

標準長さは1メートルですが、任意の長さやコネクタ終端仕様を指定できます。

コネクタタイプ:ST、FC、SC、LC。

コネクタ研磨タイプ:PC(プレシジョンコネクタ)またはAPC(角度研磨)を選択可能です。


電気的/光学的特性(Tsub=25°C、定常バイアス(CW)を除き、特に記載がない場合)

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

感度スペクトル

λ

-

900~1700

アクティブ直径

φ

-

50

µm

感度

Re

λ=1.55μm,M=10,φe=1μw

8.5



A/W

乗算増幅率

Mmax

λ=1.55μm,φe=1μw

20




逆方向破壊電圧

VBR

D=100mA,φe=0

40

50

60

パンチスルー電圧

Vpt

λ=1.55μm,φe=1μw,M=1.1

20


30

動作電圧範囲

Vop

λ=1.55μm,φe=1μw

18

20


暗電流

ID

M=10,φe=0


2

10

nA

静電容量

C

M=10,φe=0

0.5



PF

-3dB帯域幅

BW

VR=5V,f0=100MHz,RL=50D

1.8

2.0

GHZ

動作電圧温度係数

δ

Tc=-40~+85℃


0.10

0.15

V/℃

動作電圧

VR


30

注記

動作電圧(Vop)>パンチスルー電圧(VPt)

動作電圧範囲:VBR - VP

TOパッケージの場合の静電容量は0.4pF、ピグテールパッケージの場合の静電容量は0.5pFです。


典型特性曲線

f1.png

図1:光電流および暗電流VS逆電圧

f2.png

図2:容量vs逆電圧

f3.png

図3:乗算係数VS入力光パワー

f4.png


図4:帯域幅VS倍増係数

温度vs暗電流特性

f5.jpg

温度と破壊電圧特性

Break down Voltage(V)

f6.png

Temperature(℃)

応用回路例

f7.png


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