VCSEL（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser：垂直共振器面発光レーザ）は、レーザ光を素子表面に対して垂直方向に出射する半導体レーザです。
砒化ガリウム（GaAs）系半導体材料を基盤として開発されており、LED（発光ダイオード）や従来のエッジ発光型レーザダイオード（LD）とは構造および動作原理が異なります。

VCSEL は、反射ミラー、有効層、および金属電極層から構成されています。上下の反射ミラーには、P 型および N 型の分布ブラッグ反射鏡（DBR）が用いられています。有効領域は多重量子井戸構造で形成されています。P 型 DBR の外表面にはオーミック接触を形成するための金属電極層が設けられ、中央部にはレーザ光を取り出すための円形開口部が形成されています。

VCSEL は遠視野発散角が小さく、ビーム形状が円形で対称性に優れているという特長を有します。また、しきい値電流が低く、高速変調が可能であり、最大約 300 kHz の変調周波数に対応します。駆動電流および動作温度を制御することで、発振波長の調整も可能です。

本製品は TEC および PD を内蔵したパッケージ構造を採用しており、高速光ファイバ通信用途向けに最適化されています。

測定条件： T_OP = 20 °C、I_OP = 2.0 mA（TEC制御）

光スペクトルデータ（測定条件：15 ℃、10 mA）

L-I特性（T@25℃）

出力安定性

波長可変性

波長安定性(1.949pm)

ビーム品質

2D

3D