対して垂直に放射されるタイプのレーザーです。ガリウムアーセニウム半導体材料を基に開発され、LED（発光ダイオード）やLD（レーザーダイオード）とは異なります。VCSELは、ミラー面、アクティブ層、金属接続層から構成されています。2つの伝送ミラーは、P型およびN型のブラッグミラーです。アクティブ領域は量子ヒドラジンで構成されています。金属接続層はP型DBR（ディスプレイ反射鏡）外表面に形成され、オーミック接触を形成します。また、P型DBRには円形の出口が設けられ、レーザーを出力します。

VCSELは、遠方場の発散角が小さく、ビームは狭くて丸い形状をしています。また、閾値電流が低く、変調周波数が高い特性を持ち、最大で300kHzに達することができます。波長調整は、レーザー電流や温度を変化させることによって実現できます。TEC（熱電冷却器）およびPD（フォトダイオード）が内蔵されたパッケージは、高速光ファイバー通信向けに特別に設計されています。

測定条件： T_OP = 20 °C、I_OP = 2.0 mA（TEC制御）

スペクトル

L-I特性（T@25℃）

出力安定性

波長可変性

波長安定性(1.949pm)

ビーム品質

2D

3D