795nm SM VCSEL TEC搭載、狭線幅、許容差±0.5nm、TO46パッケージ
| 型番 : PL -VCSEL-0795-1-A81-TO46 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
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| 在庫番号 : A80040008 |
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795nm冷却型TO VCSEL は、垂直発光型MOVPE成長GaAs単一モードダイオードレーザーです。チップはTOパッケージされています。内蔵TECにより、レーザーの電流および温度調整で波長調整が可能です。TDLAS(チューナブルダイオードレーザー吸収分光法)専用に設計されています。
特徴
●チップ技術: GaAs VCSEL
●赤外線レーザー波長: 795nm
●放射プロファイル: 単一モード
●ESD(静電気保護): 250V
ヒートシンク温度 Tsubmount = 90℃、周囲温度 TAmbient = 25±5℃
光学指標 | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 備考 |
しきい値電流 | Ith | mA | - | - | 1 | CW |
光出力 | Pout | mW | 0.1 | - | - | CW,IFLD=1.4mA |
傾き効率 | SE | mW/mA | - | 0.2 | - | CW,IFLD=Ith~2mA |
ピーク波長 | λP | nm | - | 795 | - | CW,IFLD=1.4mA |
SMSR | SMSR | dB | 20 | - | - | CW,IFLD=1.4mA |
ピーク波長温度ドリフト係数 | ∆λP/∆TSubmount | nm/℃ | - | -0.055 | - | CW,IFLD=1.4mA,TSubmount=80~100℃ |
ピーク波長電流ドリフト係数 | ∆λP/∆IFLD | nm/mA | - | 0.3 | - | CW,IFLD=Ith~2mA |
制限パラメータ
光学指標 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 備考 |
TEC動作電流 | mA | - | - | 1 | CW |
TEC動作電圧 | mW | 0.1 | - | - | CW,IFLD=1.4mA |
スペクトル

レーザーパワーテスト特性曲線

駆動電圧

パッケージサイズおよびピン定義 (単位: mm、許容差未指定: ±0.3)


ピン | 機能 | ピン | 機能 |
1# | ケース | 4# | VCSEL+ |
2# | Rth | 5# | TEC+ |
3# | TEC+ | 6# | VCSEL-/Rth |
用途
原子時計
磁気計(マグネトメータ)
注意事項
本製品は動作中にレーザーを発します。人体のいかなる部位にもレーザーを照射することは厳禁です。
本製品は静電気に敏感なデバイスです。静電気保護された環境で操作し、デバイスに直接触れる工具が適切に接地されていることを確認してください。不適切な操作や使用は、製品に永久的かつ回復不可能な損傷を与える可能性があります。
本製品には光学ウィンドウがあります。使用および保管時には、光学ウィンドウが汚れたり損傷したりしないように注意してください。