応答波長範囲: 850~1700nm、有効受光面積: 4 × 1 mm、応答速度: 0.5 ns パッケージ: TO-5
| 型番 : PL- 1700-IG-QD1-TO5 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : E80040016 |
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本デバイスは赤外線計測およびセンシング用途向けの高感度 InGaAs PIN フォトダイオードです。800~1700 nm の高スペクトル応答を持ち、有効受光面積は 1 × 4 mm です。平面パッシベーション構造を採用しています。
Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | ||
感度スペクトル | λ | VR=5V | 850~1700 | ㎚ | ||||
有効受光面径 | φ | - | 4x1 | mm | ||||
素子間隔 | d | 40 | um | |||||
感度 | Re | λ=1.31µm,VR=5V,Pin =10µw | 0.80 | 0.85 | A/W | |||
λ=1.31µm,VR=5V,Pin =10µw | 0.90 | 0.95 | ||||||
逆耐圧 | VBR | IR =10µA | 35 | Ⅴ | ||||
暗電流 | ID | V R =5V | 0.5 | 1.0 | nA | |||
総静電容量 | C | V R =5V | 1.5 | nF | ||||
クロストーク | SL | V R =5V | 2 | % | ||||
最大線形光出力 | φs | VR =5V, λ=1.55μm | 5 | mW | ||||
-3 dB 帯域幅 | BW | VR=5V,λ=1.55μm,RL=50Ω | 120 | MHz | ||||
典型特性曲線
Responsivity, R (A/W)

Wavelength, λ (nm)
P-I特性曲線

応用回路
