10 GHz Thin-Film Lithium Niobate (TFLN) Electro-Optic Phase Modulator


Operating Wavelength 850nm; Operating Bandwidth 10GHz; RF Return Loss -10dB; Insertion Loss 3.5dB

型番  :  PM-850-10G-P-P-FA-FA(TF)
価格  :  USD [お問い合わせください]
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The PM-850-10G-P-P-FA-FA(TF) is a high-performance, compact electro-optic phase modulator based on advanced Thin-Film Lithium Niobate (TFLN) technology. Operating at the 850nm wavelength band, it features a 3dB electro-optic bandwidth of 10GHz, exceptionally low insertion loss, low half-wave voltage (Vpi less than 4 V), and excellent polarization extinction ratio. This modulator is ideally suited for optical fiber communications, microwave photonics, and quantum optical systems. 

Technical Specifications

All specifications are measured at 25deg unless otherwise noted. 

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Electro-Optic Bandwidth

S21

From 2GHz start frequency

10

12

GHz

RF Return Loss

S11

Up to 10GHz

-10

dB

Operating Wavelength

λ

Optimized center wavelength

750

850

930

nm

Optical Insertion Loss

IL

850nm CW laser, 0 dBm input

3.5

4.0

dB

Fiber Polarization Crosstalk

PER

PMF Extinction Ratio

-25

dB

RF Half-Wave Voltage

Vpi

Low-frequency reference (f = 50kHz)

3.5

4.0

V


10 GHz Thin-Film Lithium Niobate (TFLN) Electro-Optic Phase Modulator1.png

Typical S21 Frequency Response


Absolute Maximum Ratings

Stresses beyond those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. 

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Maximum Input Optical Power

Ps,o

100

mW

Maximum Input RF Power

Ps,rf

23

dBm

Operating Temperature

TW

-40 to +80

°C

Storage Temperature

TS

-55 to +85

°C


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