中心波長:1471㎚、光出力:<35mW
| 型番 : LP0110EBI-0225-C01 |
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本製品は、電界吸収変調器(EAM)一体型レーザー(EML)を搭載した10Gbpsコンパクト光送信モジュールです。
本モジュールはMSA規格に準拠しています。
このEML-TOSAは高い分散耐性を有しており、シングルモードファイバ(SMF)において最大80kmまでの長距離伝送性能を実現します。
特に記載がない限り、すべてのパラメータは初期寿命(BOL:Beginning of Life)条件に基づくものであり、TOSAケース動作温度範囲25℃において規定されています。
仕様 | 記号 | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 単位 |
閾値電流 | Ith | CW, Tld=45deg | 15 | 25 | mA | |
光出力 | Po | CW,Iop=70mA,Tld=45deg, EA=0V | 3 | 7 | dBm | |
LDチップ温度設定範囲 | Tld | Tc=-40~85℃ | 40 | 45 | 55 | ℃ |
サイドモード抑圧比(SMSR) | SMSR | CWIop=70mA, Tld=40~55℃,EA=0V | 30 | -- | -- | dB |
中心波長 | λC | CWIop=70mA, Tld=40~55℃,EA=0V | λ- 6 | λ | λ+6 | nm |
トラッキングエラー | TE | CW,Iop=70mA, Tld=45℃, EA=0V | -1 | 1 | dB | |
モニタ電流(PD) | Im | CWIop=70mA, Tld=40~55℃,EA=0V | 50 | 1500 | uA | |
サーミスタ抵抗 | Rth | TC=TId=25℃ | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
サーミスタB定数 | B | 3800 | 3930 | 4000 | K | |
TEC電流 | Itec | Tc=-40~85℃, Tld=45℃ | 0.7 | A | ||
TEC電圧 | Vtec | 3 | V | |||
TEC消費電力 | Ptec | 0.6 | W | |||
帯域幅 | BW | 10 | G Hz |
絶対最大定格
絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはあくまで絶対的なストレス許容値であり、これらの条件またはデータシートの動作条件を超えるいかなる条件においても、デバイスが正常に動作することは保証されません。
絶対最大定格を超えて使用した場合、デバイスの永久的な損傷および/または信頼性の低下を引き起こす可能性があります。
仕様 | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 最小値 | Ref. |
保存温度 | Ts | -40 | +85 | ºC | ||
動作ケース温度 | Tc | -40 | 85 | ºC | ||
10G光出力パワー | Pf | 35 | mW | |||
10G順方向電流(LD) | If | 150 | mA | |||
10G逆方向電圧(LD) | VRL | 2 | V | |||
フォトダイオード順方向電流(MPD) | IFMPD | 10 | mA | |||
フォトダイオード逆方向電圧(MPD) | VRMPD | 15 | V | |||
変調器順方向電圧 | Vm | 1 | V | |||
動作相対湿度 | RH | 85 | - | |||
フレックスパッドはんだ付け温度 | 260 | ℃ | <10S |
(※)局所加熱のみ。パッケージ本体温度は85℃を超えてはならない。
ただし、120℃で60秒間の温度上昇は許容される。