応答波長範囲:1000~1700 nm、パッケージ:TO-8 パッケージ、−3 dB 帯域幅:150 MHz、前置増幅器モジュール内蔵、オプション:温度センサ AD590
| 型番 : PL-1700-IGA-QD0.8-TO8 |
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本シリーズは、InGaAs アバランシェフォトダイオード(APD)とハイブリッド前置増幅器を、同一の気密封止 TO-8 パッケージに集積した構成を採用しており、超低ノイズ動作を実現します。搭載されている InGaAs APD は 1550 nm 波長帯に最適化されており、近赤外通信用途において高い感度と安定した性能を発揮します。
光電特性(Tc=22±3℃、VCC/VEE=±5V、AC負荷抵抗=50Ω)
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値. | 代表値. | 最大値 | 単位 |
応答スペクトル | λ | — | 1000~1700 | nm | ||
有効径(アクティブ径) | D | — | 500 | μm | ||
逆方向ブレークダウン電圧 | VBR | DC ID = 100 μA、光入力パワー φe = 0 | 30 | 70 | V | |
動作電圧 | VR | アバランシェゲイン M = 10 | 0.90×VR | V | ||
感度 | RV | M = 10、λ = 1.55 μm、パルス幅 TW = 100 ns、出力パルス反転 | 300 | kV/W | ||
ダイナミックレンジ | DY | M = 10、λ = 1.55 μm | 25 | dB | ||
−3 dB帯域幅 | BW | M = 10、λ = 1.55 μm、パルス幅 TW = 100 ns | 40 | MHz | ||
立上り/立下り時間 | tr | M = 10、λ = 1.55 μm、パルス幅 TW = 100 ns | 7 | ns | ||
雑音等価電力(NEP) | NEP | M = 10、f = 100 kHz、Δf = 1.0 Hz | — | 0.16 | 1 | pW/ √Hz |
出力インピーダンス | RO | VCC/VEE=±5V | — | 50 | Ω | |
出力電圧スイング | VO | - | 0.7 | V | ||
オフセット電圧 | Voffset | - | 0 | V | ||
正電源電流 | ICC | VCC/VEE=±5V | — | 30 | mA | |
負電源電流 | IEE | — | 10 | mA | ||
温度係数 | σ | -55℃~+85℃ | 0.12 | V/℃ | ||
同軸度(コンセントリシティ) | △D | - | 50 | μm | ||
絶対最大定格値
パラメータ | 記号 | 定格値 | 単位 |
APD電源電圧 | VR | VBR | V |
動作温度 | TC | -45~+85 | ℃ |
保存温度 | TSTG | -55~+100 | ℃ |
最大光入力パワー | Pin | 100 | mW |
モジュール電源電圧(AC主電源) | Vcc/VEE | ±6 | V |
消費電力 | Pw | 250 | mW |
はんだ付け温度(時間) | - | 300(10s) | ℃ |
ブロック図

図1 モデル回路図

図2 モジュール光学図
代表的性能曲線(Tc=22±3℃、VCC/VEE=±5V、AC負荷抵抗=50Ω)


