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    応答波長: 1260–1650 nm、 帯域幅: 110 Hz、 材料: InP、有効面積直径: 10µm 応答度: 0.65A/W @ 1550 nm、 最小注文数量: 100 個

    型番  :  HSC110GHZ
    価格  :  USD [お問い合わせください]
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    お薦め

    高速フォトディテクタモジュールは、データ通信および電気通信における次世代光通信リンクの開発において注目されています。これらの研究開発向けリンクは常にシンボルレートの面で先を行くため、受信側には最先端を超えるRF帯域幅を持つフォトディテクタモジュールが必要です。さらに、フォトディテクタモジュールの高速性能により、マイクロ波フォトニクスへの応用も可能です。モジュール内のフォトディテクタチップは成熟したInP技術に基づいており、Telcordia認証および宇宙用途対応プロセスに対応したウェハプロセスラインで製造されています。チップのパッケージングはFraunhofer HHI施設で行われています。


    試験条件：25 °C、特に指定がない場合

    パラメータ

    記号

    テスト条件

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    動作温度

    TO


    0


    75

    ℃

     保存温度

    Ts


    -40


    85

    ℃

     動作波長

    λ


    1550

    nm

     バイアス電圧

    Vb



    4


    V

    有効面積直径

    Ф



    10


    μm

    飽和光出力

    Ps

    λ = 1550 nm, Vb= 5   V

    13



    dBm

    応答度

    R

    λ= 1550 nm, Vb= 5   V


    0.45


    A/W

    暗電流

    Id

    Vb= 5 V


    30


    nA

     3dB 帯域幅

    BW

    Ps,o = 5 mW, Vb= 4 V

    100

    110


    GHz

     

    帯域幅および応答度測定

    110GHz 1.png


    ダウンロード

    110 GHz Photodetector Chip.pdf


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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
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    10
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