有効検出面径 d

—

25

—

μm

分光応答波長範囲

—

950

1650

nm

逆方向ブレークダウン電圧 VBR

IR=10 μA ，Φe=0

60

85

V

感度Re

Φe=1μW，VR=(VBR-1)V, λ=1550 nm±50 nm

8

A/W

暗電流 ID

VDC =(VBR-1) V，Φe=0

1

nA

静電容量 Ctot

VDC =(VBR-1) V，f=1MHz

—

0.6

pF

ブレークダウン電圧の温度係数 η

TC =-45～+30℃ , IR =10μA，φe=0

0.10

0.15

V/℃

単一光子検出効率（PDE）

TA = -40±5℃, μ=1 ，fg = 100 MHz ，fP = 500 kHz ，DCR ≤ 3.0 kcps ，λ = 1.55μm

20

%

ダークカウントレート（DCR）

TA = -40±5℃, fg  = 1.25 GHz， SPDE ≥ 20% ，λ = 1.55μm

3

kcps

アフターパルス確率（APP）
（1000 ns）

TA  = -40±5℃, μ=1 ，fg = 1.25 GHz ，fP  = 625kHz ，DCR ≤ 3.0 kHz ，SPDE ≥ 20% ，λ = 1.55μm

1

%

タイムジッタ（TJ）

SPDE=20%

300

ps

絶対最大定格

1

保管温度 TSTG

-50℃～+85℃

2

動作環境温度 TC

-50℃～60℃

3

はんだ付け温度 Tsld（時間）

260℃（10s）

4

逆方向直流バイアス電圧 VDC

VBR+5 V

5

入力光パワー φe（連続）

1 mW

6

順方向電流 IF（連続）

200 μA

7

静電気感度 ESD

≥300 V

8

ピグテール引張力

3.0 N

9

TEC 電圧

11.9 V

10

TEC 電流

0.8 A

推奨動作条件

1

APD チップ動作温度 Tth

-50℃~-30℃

2

逆方向直流バイアス電圧 VDC

VBR+1V～VBR+5V