SSPD65112S InGaAs 8×8 単一光子アレイ検出モジュール（以下「本検出器」）は、InGaAs アバランシェフォトダイオード 8×8 アレイチップ、アクティブ・パッシブ高速消光回路、冷却回路、信号制御回路などで構成されています。
検出器アレイは 8×8 エレメント構成で、ピクセル中心間隔は 50μm、近赤外波長帯（1.0～1.65μm）で動作します。本検出器は高感度で、極めて弱い光信号（単一光子信号）の検出が可能です。各ピクセルは調整可能なパルス幅内で自由に動作し、独立して検出信号を出力・電気信号を処理するため、ノイズの影響は最小限に抑えられます。
本検出器モジュールは高感度かつシステム構成が簡単で、長距離レーザー測距、長距離空間光通信、光電レーダーなどの分野に適用可能です。
主な仕様
特性パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値. | 最大値. | 単位 |
検出器仕様および構成パラメータ |
アレイスケール | M | — | 8×8 | — |
対象サイズ | Ts | — | 0.4×0.4 | mm |
ピクセル中心間距離 | D | — | — | 50 | — | μm |
ピクセル間隔 | DG | — | — | — | 25 | μm |
動作波長 | λ | — | 1000 | — | 1650 | μm |
出力信号振幅 | Vout |
|
|
| 5 | V |
シリアルポート通信速度 | Baud | — | — | 115200 | — | Baud/s |
消費電力 | PDC | VIN =5V ，Tth=-30℃±5℃ | — | 15 | — | W |
入力電圧 | VIN | — | — | 12.0 | — | V |
入力電流 | IIN | VIN =5V ，Tth=-30℃±5℃ |
| 1.2 |
| A |
動作周囲温度 | TA | — | -40 | — | 55 | ℃ |
重量 | Wt | — | — | 180 | — | g |
検出器サイズ | SC | — | 100 ×74 ×62 | mm |
特性パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値. | 最大値 | 単位 |
光電性能パラメータ |
光子効率 | PDE | TA=25±5℃, Tth=-30℃±5℃, τ=0.8 μs±0.1 μs λ=1550±50nm(InGaAs), λ=1064 10nm(InGaAsP)s | 10 |
| — | % |
暗カウント率 | DCR(PDE=10%) | — | — | 10 | kHz |
光子効率(InGaAsP) | DCR(PDE=10%) |
|
| 5 | % |
アフターパルス確率 | APP(PDE=10%) |
|
| 20 | % |
動作波長: 動作波長範囲内で標準の狭帯域フィルタを選択可能。 Tth: InGaAs アバランシェフォトダイオード 4×4 アレイチップの動作温度。 τ: デッドタイム。 上記パラメータ測定時の周囲温度: TA = 25 ± 5℃ |
パラメータ設定範囲および推奨動作条件
No. | パラメータ | 定格値 |
パラメータ設定範囲 | 1 | 検出器動作温度 | -30℃ ～ 30℃、最小ステップ値 0.1℃ |
| 2 | デッドタイム | 0.1μs ～ 2.0μs、ステップ値 0.025μs |
| 3 | アバランシェ電圧閾値調整 | 50.0V～85.0V,ステップ値: 0.1V |
| 4 | ゲイガーアバランシェ比較電圧設定 | 0.35V～1.10V, ステップ値: 0.01V |
| 5 | 検出器動作ゲート幅検出器動作周期 | 動作ゲート幅：≥0.1μs 動作周期: ＞0.1μs; ステップ値: 0.01μs |
No. | パラメータ | 定格値 |
推奨動作条件 | 1 | 検出器動作温度 | -30℃～0℃ |
| 2 | デッドタイム値 | 0.80μs |
| 3 | アバランシェ電圧閾値調整 | 詳細は試験報告書をご参照ください。 |
| 4 | ゲイガーアバランシェ比較電圧設定 | 0.45V～0.90V |
典型特性カーブ
図1 InGaAs 蛍光応答特性曲線
図2 InGaAsP 蛍光応答特性曲線
品質信頼性保証
GJB8121-2013「半導体光電子部品 一般仕様」に規定された品質保証レベル GZ3 の管理を実施。
