パラメータ

最小値

典型値

最大値.

単位

ヒートシンク温度

20

25

30

°C

順方向電流*

800

mA

光フィードバック**

20

%

最大電流まで自己発振なし　チップへの結合効率は含まれません

チューナビリティ特性　バッチ検証条件：CW、25℃、800mA、外部共振器Littman構成、フィードバック20%

パラメータ

最小値

典型値

最大値.

単位

最大出力波長

1255

1270

1285

nm

出力パワー @ 1270nm

150

210

mW

チューニング範囲の中心波長

1245

1260

1275

nm

チューニング範囲幅（全幅）

60

nm

サイドモード抑制比 (SMSR) @ 1270nm

55

dB

増幅自己発光 (ASE) 特性　各サンプルごとにテスト　条件：CW、25℃、800mA、フィードバックなし

パラメータ

最小値

典型値

最大値.

単位

出力パワー

20

mW

順方向電圧

1.8

2

V

平均波長

1200

nm

帯域幅 (FWHM)*

20

nm

高速軸ビーム発散角 (FWHM)

32

38

42

deg

低速軸ビーム発散角 (FWHM)

5

7

11

deg

偏光

TE

* レンズなしで単一モードファイバーに結合された放射光　 OSAで1nm分解能で測定

チップパラメータ

パラメータ

最小値

典型値

最大値.

単位

チップ長

3

mm

前面ファセットからの反射

0.1

%

背面ファセットからの反射

90

99

%