LD-PD PTE.LTDのHgCdTe増幅光検出器は、感度範囲が2～11μmで、8段階の可変ゲインレベルを備え、定量的な光電変換を実現し、広いダイナミックレンジを持っています。さまざまな赤外光電開発シナリオに適しており、優れた性能と高いコストパフォーマンスを誇ります。全方位の技術サポートを提供し、主に中波および長波赤外線測定で使用されます。
パラメータ仕様
パラメータ | 値 |
波長範囲 | 1-5um | 2-12um |
ピーク波長 | 4.5um | 10.6um |
応答時間定数 | ≤120ns | 1.5ns |
D* | 2.0X1010cm·Hz1/2/W | 1.0X107cm·Hz1/2/W | 7.0X108cm·Hz1/2/W |
信号振幅 | Hi-Z load: 0～10V; 50Ω load: 0～5V |
ゲイン調整方法 | 回転ギア調整: 0～70dB、1ギアあたり10dB、合計8ギア。帯域幅はゲインに反比例します。 |
光感受性サイズ | 1mm×1mm |
光感受性表面の深さ | 0.13" (3.3mm) |
検出器ネット重量 | 0.10kg |
動作温度 | 10-40℃ |
保管温度 | -20-70℃ |
外形寸法 | 2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm) |
光電応答 | ≥0.5A/W | ≥0.004A/W | ≥0.14A/W |
光学浸透 | 浸透レンズあり | 浸透なし | 浸透レンズあり |
電源インターフェース | 電源スイッチ | 信号インターフェース | ゲイン調整 | 支持棒インターフェース | 光学インターフェース |
LUMBERG RS MV3 メス | LEDインジケーター付きスライドスイッチ | BNCメスコネクタ | 8ポジションノブ | M4×2 | SM1 × 1 SM0.5 × 1 |
8段階可調ゲインパラメータ
0dB | 10dB | 20dB | 30dB |
ゲイン (Hi-Z) | 1.51×103 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×103V /A | ゲイン (Hi-Z) | 1.5×104 V/ A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×104 V/A |
ゲイン (50Ω) | 0.75×103 V/A | ゲイン (50Ω) | 2.38×103V /A | ゲイン (50Ω) | 0.75×104V/A | ゲイン (50Ω) | 2.38×104 V/A |
帯域幅 (BW) | 13MHz | 帯域幅 (BW) | 1.7MHz | 帯域幅 (BW) | 1.1MHz | 帯域幅 (BW) | 300kHz |
ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ(RMS) | ≤250uV |
40dB | 50dB | 60dB | 70dB |
ゲイン (Hi-Z) | 1.51×105 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×105 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 1.5 ×106 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×106 V/A |
ゲイン(50Ω) | 0.75×105 V/A | ゲイン (50Ω) | 2.38×105 V /A | ゲイン(50Ω) | 0.75×106 V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×106 V/A |
帯域幅 (BW) | 90kHz | 帯域幅 (BW) | 28kHz | 帯域幅 (BW) | 9kHz | 帯域幅 (BW) | 3kHz |
ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ(RMS) | ≤300uV | ノイズ (RMS) | ≤400uV |
信号バイアス | ±8mV(Typ.) ， ±12mV(Max) |
MCT応答曲線
MCT 2～5μm 光検出器 テスト信号
付録1: オプション構成表
InGaAsバイアス光検出器 | オプション構成 |
製品名 | 材料 | タイプ | 特長 | 波長範囲アクティブエリア | 予備オプション構成 |
PD:「光検出器」" | J: MCT 水銀カドミウムテルル | A:拡大タイプ | A: 可調ゲイン | P10: 1～5μm, 1mm×1mm | S: 2～12μm範囲の高感度モデル |
1-5um HgCdTe amplified photodetector .pdf
