LD-PD社の高ピークパワーパルスレーザーは、MOCVDプロセスで製造されたひずみ層量子井戸（Strained Layer Quantum Well）デバイスです。本パルスレーザーは、905nmで最大100Wのピークパワーを発生可能です。また、-40°C～+80°Cの範囲で安定した出力を提供します。

電気・光学特性（基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作）

注：試験条件：パルス幅 tp = 200ns、周波数 f = 5kHz、チップ温度 Tc = 25℃

典型特性曲線

スペクトル

L–I特性

Far-Field Distribution Parallel to pn-junction

pn接合面垂直 遠方界分布

絶対最大定格