応答波長:900–1300 nm、 材料:InGaAsP/InP、有効面積:40 μm、検出器感度:0.75 A/W @ 1064 nm、パッケージ:TO66
| 型番 : SGA-16-40-TO66 |
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SGA-16-40-TO66 単一光子アバランシェフォトダイオード(SPAD)は、主に InGaAsP/InP APD チップ と 2 段階熱電クーラー(TEC) で構成されています。
TO66 パッケージを採用しており、ライダー、距離測定、低光量検出、高速レーザー通信などの分野で使用可能です。
本取扱説明書は、本製品に関してのみの記述です。
光電性能特性
項目 | 典型値 |
有効光検出面径(μm) | 40 |
*応答スペクトル範囲(μm)1 | 0.95 ±0.05~1.25 ±0.05 |
*降伏電圧 Vbr(V)2 | 69.8@Id=1μA |
降伏電圧温度係数 ΔVbr/ΔT(V/K) | 0.13 |
電流応答率 Ri(A/W) | 0.75@1064nm, M=1 |
暗電流 Id(nA) | 0.26@M=10 |
接合容量 Cj(fF) | 40@90% Vbr |
帯域幅 F3dB(GHz) | 13@M=10 |
動作モード | リニア/ガイガーモード |
注 1:焦点面温度 = 25℃
光学パラメータ
光学構造
本製品は InGaAs 単一光子検出チップ を採用しており、ピクセル形状は 円形、有効光検出面径は 40 μm です。
光検出面と窓上面との距離の設計値は 2.09 ± 0.15 mm であり、光学インターフェースの設計図に基づきます。
図に示す通りです。

光電流/暗電流特性曲線(代表値、25℃測定)

単一光子検出効率/ダークカウント率曲線(測定条件:100 kHz、5 ns、0.1 光子/パルス)

機械的仕様
項目 | 仕様値 |
寸法(長さ×幅×高さ, mm) | 31.5×17.5×16(ピン付き) |
ピクセルサイズ | 単位 |
パッケージ形状 | TO66 パッケージ、光ファイバー結合オプションあり |
動作環境
項目 | 典型値 |
動作温度(˚C) | -30 ~ +40 |
保存温度(˚C) | -55 ~ +70 |