中心波長:1060 nm、小信号ゲイン >32dB、 出力光パワー 18dBm、 帯域幅 80–90nm、 Hi1060、 FC/APC
| 型番 : PL-PG-SOA-A-A82-W1060-SASA |
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PL-HP-SOA-C-A81-W1060-SASA 1060nm半導体光増幅器(SOA)は、単方向走査型の行波増幅器で、単色信号および多波長信号の両方で優れた性能を発揮します。
Tsub=25°C、特に記載のない限り CW バイアス
パラメータ | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 単位 |
動作電流 (Iop) | 450 | 500 | mA | |
順方向電圧 @ Iop | 1.7 | 2 | V | |
ゲイン(入力信号 -25dBm時) | ||||
小信号ゲイン | 28 | 32 | dB | |
ゲイン中心波長 | 1045 | 1060 | 1075 | nm |
ゲイン帯域幅 @ -3dB | 70 | 90 | nm | |
ゲイン飽和出力電力 @ -3dB | 15 | 18 | dBm | |
ノイズ指数 | 6 | dB | ||
増幅自発放射(ASE) | ||||
各ポートからのファイバー出力ASE光パワー | 7 | mW | ||
ASE平均波長 | 1050 | nm | ||
ASE帯域幅 @ -3dB | 80 | 90 | nm | |
ASEスペクトルリップル³(1nm範囲でRMS、分解能10pm) | 0.02 | 0.2 | dB | |
各ポートのASE偏波消光比(PER) | 14 | 17 | dB | |
典型SOA特性と動作電流の関係
試験条件: CW動作、入力信号 -25dBm、チップ温度 25°C、ケース温度 25°C
動作電流 (mA) | ゲイン (dB) | ゲイン帯域幅 @ -3dB (nm) | 飽和出力電力 @ -3dB (dBm) | リップル RMS (dB) |
200 | 37 | 20 | 14 | 0.01 |
400 | 40 | 23 | 18 | 0.02 |
600 | 42 | 26 | 20 | 0.03 |
800 | 43 | 28 | 22 | 0.04 |
SOA出力増幅比較(25°C、入力光パワー 10dBm、電流 400mA)
パラメータ | 最小値 | 最大値. | 単位 |
SOA逆方向電圧 | - | 2 | V |
SOA CW順方向電流 | - | 800 | mA |
入力光パワー | - | 20 | dBm |
熱電冷却器(TEC)電流 | - | 3 | A |
熱電冷却器(TEC)電圧 | - | 4 | V |
光ファイバー曲げ半径 | 3 | - | cm |
チップ動作温度範囲 | 10 | 40 | °C |
ケース動作温度範囲 | 0 | 70 | °C |
保存温度範囲 | -40 | 85 | °C |
SOA出力増幅比較(25°C、入力光パワー10dBm、電流400mA)

SOA ASEスペクトル(25°C、電流400mA)

SOA特性グラフ(25°C、入力光パワー10dBm)
