InGaAs Φ 200μm APD チップ


応答波長:0.9~1.7 μm、 感度(Responsivity):1.0 A/W @ 1550 nm、 有効受光面サイズ:φ200 μm、材質:InGaAs、最小注文数量(MOQ):50 個

型番  :  LP-APD200
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  I80030015
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InGaAs アバランシェフォトダイオード(APD)チップは、赤外領域における微弱光信号を検出するために設計された半導体デバイスです。光ファイバー通信、LIDAR、各種センシングなど幅広い用途で使用されます。

APD は内部増幅機構を備えたフォトダイオードの一種であり、通常のフォトダイオードよりも高感度での検出が可能です。この増幅は「アバランシェ増倍」と呼ばれるプロセスにより実現されます。単一の光子によって生成された電子-正孔対が衝撃電離を引き起こし、追加の電子-正孔対を生成することで出力信号が増幅されます。

InGaAs APD は特に 800~1700 nm の波長検出に適しています。LD-PD INC は、InGaAs APD チップの設計・製造を行う企業です。


電気光学特性(Tc = 22 ± 3 ℃)

パラメータ

記号

試験条件

最小値.

典型値.

最大値.

単位

 応答スペクトル

λ

950 ~ 1700

nm

光電感度

Re

λ=1550nm

Pin=1μW,  M=1

0.90

1.00

A/W

増倍率

M

λ=1550nm

Pin=1μW, VR=VBR-3

10.00


λ=1550nm

Pin=1μW, VR=VBR-1

30.00

 暗電流

Id

VR=VBR-3, Pin=0μW

8.00

50.00

nA

 -3 dB カットオフ周波数

BW

M=10

RL=50Ω

0.60

1.25

GHz

逆方向降伏電圧

VBR

IR =10μA, Pin=0μW

35.00


50.00

V

 容量

C

VR=VBR-3, f=1MHz

1.80

2.00

pF

 VBR の温度係数

γ

IR=10μA,  Pin=0μW

-55℃~+85℃

0.07

0.11

0.15

V/℃

 

絶対最大定格

パラメータ

記号

最小値.

最大値.

単位

APD 電源電圧

VPD

VBR

V

 動作温度

TC

-40

+85

⁰C

  保存温度

TSTG

-55

+125

⁰C

 順方向電流

IF

5

mA

 逆方向電流

IR

3

mA


典型特性曲線(チップ温度 Tc = 22 ± 3 ℃)

APD2.jpg


APD3.jpg


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