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  • Φ1.8 mm 905 nm シリコンアバランシェフォトダイオード

    • Ф1.8 mm 905 nm シリコンアバランシェフォトダイオード


    有効面積：1.8 mm、 応答スペクトル：400–1100 nm、 材料：Si、応答時間：1.0 ns、パッケージ：TO-5

    型番  :  MP-Si-1.8-TO5
    価格  :  USD [お問い合わせください]
    納期  :   [お問い合わせください]
    在庫数量   :   [お問い合わせください]
    在庫番号   :  E80040365
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    お薦め

    本製品はシリコンPINフォトダイオードで、逆バイアス状態で動作します。ピーク波長は約940 nmで、検出スペクトル範囲は400 nm～1100 nmです。


    光電子特性（@ Tc = 22 ± 3 ℃）

    パラメータ

    記号

    試験条件

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    応答スペクトル

    λ

    —

    400～1100

    nm

      有効直径

    φ

    —

    1800

    μm

     感度

    Re

    λ=905nm,φe=1μw,   M=100

    50

    55


    A/W

      応答時間

    Ts

    f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm


    1


    ns

     暗電流

    ID

    M=100


    3

    8

    nA

     総静電容量

    Ctot

    M=100,f=1MHz


    8


    pF

     逆降伏電圧

    VBR

    IR=10uA

    120


    220

    V

      動作電圧の温度係数

    δ

    Tc=-40℃～85℃


    1.1


    V/℃


    絶対値

    電圧

    0.95×VBR

     動作温度

    -50～85℃

     消費電力

    1mW

     順方向電流

    1mA

     保管温度

    -55～100℃

    はんだ付け温度（時間）

    260℃(10s)


    代表特性曲線


    f1.png  

    図1. 0 V における感度と波長の関係


    f2.png

    図2. ゲインと UR/UBR の関係


    f3.png       

    図3. 暗電流と UR/UBR の関係


      f4.png 

    図4. 静電容量と動作電圧の関係



    応用回路図

    図5. 等価回路図


     

    図6. 光学図

    注意：

    C1 – フィルタコンデンサ：主にバイアス動作電圧 VR のノイズを除去するため

    C2 – バイパスコンデンサ：主に交流信号のためのグラウンドループを提供

    R1 – 電流制限抵抗：バイアス動作電圧 VR が高すぎる場合に、検出器の損傷を防止

    Ri – サンプリング抵抗：光電流を電圧信号に変換



    ダウンロード

    Ф1.8mm 905nm Silicon avalanche photodiode.pdf


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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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