400M Siバランスフォトディテクタ

応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：400M、材料: Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース

型番 : MBD-400M-B

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在庫番号 : E80040264

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高速・低雑音バランスフォトディテクタは、マッチングされた超低雑音アナログフォトダイオード2素子、低雑音広帯域トランスインピーダンスアンプ、および超低雑音電源で構成されています。高利得・高感度・広帯域・低雑音に加え、優れたコモンモード除去比（CMRR）を備えることにより、共通モードノイズを効果的に抑制し、システム全体の信号対雑音比（SNR）を向上させます。

製品モデル	MBD-100M-B	MBD-200M-B	MBD-300M-B	MBD-400M-B	MBD-1G-B	MBD-2G-B	単位
検出器モデル	Si
波長	400~1100						nm
帯域幅	100M	200M	300M	400M	1G	2G	Hz
検出器感度	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	0.55	A/W@850nm
トランスインピーダンス利得	30K	30K	30K	10K	30K	15K	V/A
飽和入力光パワー	240	240	240	725	240	480	μW
NEP	11	11	11	14	20	20	pW/Sqrt(Hz)
コモンモード除去比（CMRR）	>30	>30	>30	>30	>30	>30	dB
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	50	Ω
出力結合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
供給電圧	5	5	5	5	12	12	V
供給電流	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	A
光入力	FC/APC (or Free Space)
高周波出力	SMA
外形寸法	624725						mm

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ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
100M Siバランスフォトディテクタ [PDF]	MBD-100M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：100M、材料: Si,、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
200M Siバランスフォトディテクタ [PDF]	MBD-200M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：200M、材料: Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
300M Siバランスフォトディテクタ [PDF]	MBD-300M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：300M、材料: Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
1G Siバランスフォトディテクタ [PDF]	MBD-1G-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：1G、材料: Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 1GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
2G Siバランスフォトディテクタ [PDF]	MBD-2G-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：2G、材料: Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us

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