400M Si フォトディテクタ

応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：400M 、材料:Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース

型番 : PD-400M-B

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在庫番号 : E80040246

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概況
仕様
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Siフォトディテクタは、2つのマッチング済み超低雑音アナログフォトダイオード、低雑音広帯域トランスインピーダンスアンプ、および超低雑音電源で構成されています。高利得、高感度、高帯域幅、低雑音、ならびに高いコモンモード除去比により、高速かつ低雑音のバランス型フォトディテクタは、コモンモード雑音を効果的に低減し、システム全体の信号対雑音比（SNR）を向上させます。

製品モジュール	PD-100M-B	PD-200M-B	PD-300M-B	PD-400M-B	PD-1G-B	PD-2G-B	単位
検出器	Si
波長	400~1100						nm
検出器感度	0.55@850nm						A/W
帯域幅	100M	200M	300M	400M	1G	2G	Hz
トランスインピーダンス利得	30K	30K	30K	10K	30K	15K	V/A
飽和入力光パワー	240	240	240	725	240	480	μW
等価雑音光パワー（NEP）	11	11	11	14	20	20	pW/Sqrt(Hz)
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	50	Ω
出力結合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
供給電圧	5	5	5	5	12	12	V
供給電流	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	0.3(max)	A
光入力	FC/APC（or Free Space）
高周波出力	SMA
外形寸法	655020						mm

関連

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
100M Si フォトディテクタ [PDF]	PD-100M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：100M 、材料:Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
200M Si フォトディテクタ [PDF]	PD-200M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：200M 、材料:Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
300M Si フォトディテクタ [PDF]	PD-300M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：300M 、材料:Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
1G Si フォトディテクタ [PDF]	PD-1G-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：1G 、材料:Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 1GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
2G Si フォトディテクタ [PDF]	PD-2G-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：2G 、材料:Si、検出器感度: 0.55 A/W @ 850 nm、光入力、フリースペース	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us

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