LD-PD製のPL-980-FP-A-A81-SA 980 nmポンプレーザーモジュールは、複数の革新的な設計手法と最新の材料技術を採用しており、製造プロセスのスケーラビリティを大幅に向上させています。半冷却型で45℃でのレーザーダイオード動作により、TECの消費および全体の電力消費を大幅に削減できます。本モジュールは、気密仕様の980 nmポンプモジュール向けのTelcordia GR-468-COREを含む、通信業界の厳しい規格にも適合しています。
LD-PDシリーズのポンプモジュールは、ファイバーブラッググレーティング（FBG）による波長安定化を採用しており、温度変化、駆動電流、光学フィードバックがあってもノイズの少ない狭帯域スペクトルを提供します。波長選択も可能で、最大出力でスペクトル制御性能が最も要求されるアプリケーションにも対応します。
技術仕様
表2-1 極限動作条件
仕様 | 記号 | 単位 | 最小値 | 最大値 | 備考 |
LD 順方向電流 | If | A |
| 1.1*EOL | CW |
LD逆方向電圧 | Vr | V |
| 2 |
|
LD 逆方向電流 | Ir | μA |
| 10 |
|
LD ESD損失 | VESD,LD | V |
| 500 | C=100pF,R=1.5kΩ, HBM Model |
PD 逆方向電圧 | Vr,PD | V |
| 20 |
|
PD 順方向電流 | Ir,PD | mA |
| 10 | バイアス電圧 -5 V |
PD ESD損失 | VESD,PD | V |
| 300 | C=100pF, R=1.5kΩ,HBM Model |
TEC 電流 | ITEC,AMR | A | -2 | 3 |
|
TEC 電圧 | VTEC,AMR | V | -3 | 4.7 |
|
動作環境温度 | Tc | °C | -5 | 75 |
|
保存温度 | Tstg | °C | -40 | 85 | 2000hrs MAX |
LD 動作温度 | Ts | °C | 10 | 40 | 持続時間 < 1 分 |
動作相対湿度 | RHop | % | 5 | 85 | 1.0 kg の乾燥空気中の水分量は 0.024 kg を超えてはならない |
保存相対温度 | RHstg | % | 5 | 85 |
|
リードはんだ付け温度 | Tsoldering | °C |
| 400 | 持続時間 < 10 秒、Tc ≤ 75°C |
仕様 | 記号 | 単位 | 最小値 | 最大値 | 備考 |
ピグテール軸方向引張力 |
| N |
| 5 | 3*10s |
ピグテール横方向引張力 |
| N |
| 2.5 | 3*10s |
ファイバー曲げ半径 |
| mm | 20 |
|
|
注記：極限動作条件とは、デバイスが短時間のみ耐えられる最大定格を示します。最大定格を超えて動作させると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。最大定格条件に長時間さらされると、信頼性および製品寿命に影響を及ぼす場合があります。
特に記載がない限り、デバイスの動作条件は以下の通りです：ケース温度 -5°C～+75°C、FBG 温度 -5°C～+75°C、LD 動作温度 25°C（いかなるケース温度条件でも）、PD バイアス電圧 -5 V。
スペクトル解析（動作温度 25 °C、電流 200 mA）
LIV カーブ（600 mW 版を例に示す）
光出力安定性
表 2-2 製品モデル仕様
型番# | シリーズ名 | 中心波長設定 | 出力光パワー設定 | ファイバータイプ設定 |
PL-FP-974-OOOO- FF | PL-FP | 974 | OOOO | FF |
注記
● 光出力レベルモデルは「OOOO」で表示され、選択可能なパラメータは 4000、5200、および 7000 です。具体的な意味は表 2-3 を参照してください。
● 中心波長は「74」で表示され、デバイスの中心波長の典型値は 974 nm であることを示します。具体的な波長仕様は表 2-5 を参照してください。
● 光ファイバータイプは「FF」で表示され、選択可能なパラメータは PM/SM です。具体的な意味は表 2-4 を参照してください。
表 2-3 異なる出力レベルにおける動作パラメータ
出力レベル "OOOO" | 初期寿命（BOL）における最大光出力, Pop,BOL (mW) | 初期寿命（BOL）における最大動作電流, Iop,BOL (mA) | キンクフリー最小光出力, Pkink (mW) |
A | 400 | 820 | 440 |
B | 600 | 1000 | 600 |
C | 800 | 1200 | 800 |
D | 1000 | 1500 | 1000 |
出力レベル "OOOO | 終期寿命（EOL）における最大動作電流, Iop,EOL)キンクフリー最大電流, Ikink (mA) | 終期寿命（EOL）における最大動作電圧, Vop,EOL (V) | 終期寿命（EOL）TEC最大動作電流, ITEC,EOL (A)) | 終期寿命（EOL）TEC最大動作電圧, VTEC,EOL (V) |
A | 902 | 2 | 2.3 | 3.8 |
B | 1200 | 2.15 | 2.4 | 3.9 |
C | 1400 | 2.3 | 2.6 | 4.2 |
D | 18000 | 2.5 | 3.0 | 4.5 |
注記
● TEC 最大動作電流 / TEC 最大動作電圧とは、環境温度 75°C、チップ温度 25°C、かつ LD 出力 Pop × 1.1 の条件下で TEC が必要とする最大電流 / 最大電圧を指します。
表 2-4 光ファイバータイプの選択可能パラメータおよび光ファイバー仕様
ファイバータイプ “FF”” | ファイバータイプ | カットオフ波長 (nm) | クラッド径 (μm) | コーティング径 (μm) | コア/クラッド同心度 (μm) | モードフィールド径 @980nm (μm) |
PM | PM980 | ≤970 | 125±1 | 250±10 | ≤0.5 | 6.55±0.55 |
SM | HI1060 | ≤970 | 125±1 | 240±5 | ≤0.5 | 5.9±0.5 |
表 2-5 仕様
仕様 | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 備考 |
しきいち電流 | Ith | mA |
|
| 110 |
|
13dB 帯域幅 | Δλ | nm |
|
| 1 |
|
FBG 温度ドリフト係数 | Δλp/ΔT | nm/°C |
|
| 0.02 |
|
出力安定性 | ΔPf_t |
|
|
| 0.50% | デバイス出力レベル：4000 または 5200； |
PV 値、光出力 100 mW ～ Pop,BOL、サンプリング周波数 1 Hz、サンプリング時間 1 分。 |
|
|
|
|
| 5% | デバイス出力レベル：7000； |
PV 値、光出力 100 mW ～ Pop,BOL、サンプリング周波数 1 Hz、サンプリング時間 1 分。 |
3dB 帯域幅中心波長安定性 | Δλp | nm |
|
| 0.05 | デバイス出力レベル：4000 または 5200； |
50 mW ≤ Pf ≤ Pop、 |
Δλp = Max(λp) - Min(λp)、測定時間 1 時間。r |
|
|
|
|
| 0.5 | デバイス出力レベル：7000； |
50 mW ≤ Pf ≤ Pop、 |
Δλp = Max(λp) - Min(λp)、測定時間 1 時間。 |
中心波長 | λC | nm | 973 |
| 975.3 |
|
バックライト PD 感度 | RMPD | μA/mW | 0.1 |
| 20 | Pf=Pop, Vr,PD=5V |
バックライト PD 暗電流 | Id | nA |
|
| 300 | Vr,PD=5V |
信号対雑音比 (SNR) | SNR | dB | 20 |
|
| 50mW ≤ Pf ≤ Pop |
注記：
● 上記仕様は、特に記載のない限り、デバイスの動作条件に基づいています：ケース温度 -5°C ～ +75°C、FBG 温度 -5°C ～ +75°C、LD 動作設定温度 25°C（任意のケース温度時）、PD バイアス電圧 -5 V。
